Transistores

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transistor HEMT
transistor HEMT
GNP1070TC-Z

Corrente: 20 A
Tensão: 650 V

... O GNP1070TC-Z é um HEMT GaN de 650V que alcançou a classe FOM (Ron*Ciss、Ron*Coss) mais elevada da indústria. É um produto da série EcoGaN™ que contribui para a eficiência de conversão de energia e redução de tamanho, fazendo o melhor ...

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ROHM Semiconductor
módulo de transistores MOSFET
módulo de transistores MOSFET
HP8KB6

Corrente: 24 A
Tensão: 40 V

... O HP8KB6 é um MOSFET de baixa resistência ideal para aplicações de comutação. CARACTERÍSTICAS: ♦ Baixa resistência ao ligar pequena embalagem para montagem em superfície (HSOP8) revestimento de chumbo sem Pb; compatível com RoHS sem halogéneos ...

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ROHM Semiconductor
módulo de transistores MOSFET
módulo de transistores MOSFET
HP8KB7

Corrente: 24 A
Tensão: 40 V

... O HP8KB7 é um MOSFET de baixa resistência ideal para aplicações de comutação. CARACTERÍSTICAS: ♦ Baixa resistência ao ligar pequena embalagem para montagem em superfície (HSOP8) revestimento de chumbo sem Pb; compatível com RoHS sem halogéneos ...

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ROHM Semiconductor
módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
QC962-8A

módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
QP12W05S-37

módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
QP12W08S-37A

Corrente: 25 mA
Tensão: 13 V

... CARACTERÍSTICAS - Fonte de alimentação DC-DC isolada incorporada; Potência única topologia de acionamento de suprimentos - Alta tensão de isolamento de 3750VAC - Frequência do sinal de entrada até 20kHz - Circuito de falha embutido com ...

transistor IGBT
transistor IGBT
XPT™ series

Tensão: 1.700, 2.500, 4.500 V

... Concebidos utilizando a tecnologia proprietária XPT™ de camada fina e o processo IGBT de última geração, estes dispositivos apresentam qualidades como resistência térmica reduzida, baixa corrente de cauda, baixa perda ...

módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
MG12600WB-BR2MM series

Corrente: 600 A
Tensão: 1.200 V

... Os módulos IGBT da Littelfuse oferecem alta eficiência e velocidades de comutação rápidas da moderna tecnologia IGBT num formato robusto e flexível. Utilizados para aplicações de controlo de potência, ...

transistor IGBT
transistor IGBT
5SN series

Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensão: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V

Os módulos de potência IGBT da Hitachi Energy estão disponíveis em versões de 1.700 a 6.500 volts como módulos IGBT de chopper simples, duplo/fásico e duplo diodo. Os módulos HiPak IGBT ...

transistor de potência
transistor de potência
PDHS545-NB195-S03-T3

Corrente: 5 A
Tensão: 500 V

... Soquetes de transistor de potência 5.passo de 45 mm / 0,215 Alta temperatura Baixa liberação de gases Contacto redondo de elevada fiabilidade que proporciona um bom desempenho elétrico e mecânico. As tomadas de teste ...

transistor de potência
transistor de potência
PDSA-NB195-S0504-GG

Corrente: 5 A

... Tomadas para transístor de potência Para TO-247(4 pinos) Alta Temp. ℃ Baixa emissão de gases Este soquete de teste de transistor de potência acomoda o pacote TO-247 (4 pinos) e pode ser usado em ambientes ...

transistor de potência
transistor de potência
M-L245-BK-T30-P

Corrente: 5 A

... Soquetes de teste para transistor de potência,Passo personalizado Alta corrente Passo Tipo padrão/Tipo de furo passante Baixa liberação de gases Se você quiser avaliar um dispositivo que não é suportado pelas especificações ...

transistor bipolar
transistor bipolar
BFS20

Corrente: 25 mA
Tensão: 20 V

... Tensão do coletor do emissor - Vceo 20 V Corrente do coletor DC - Ic - 25 mA Polaridade - pol - NPN Dissipação de potência - Ptot - 0,200 W Temperatura de Junção - Tjmax - 150 °C Ganho de corrente DC - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 ...

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Diotec
transistor bipolar
transistor bipolar
2N39 series

Corrente: 200 mA
Tensão: 40 mV

... Aplicações típicas Processamento de sinais, Comutação, Amplificação Classe comercial l) Características Objetivo geral Em conformidade com RoHS, REACH, Minerais de conflito *) ...

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Diotec
transistor bipolar
transistor bipolar
BC54 series

Corrente: 100 mA
Tensão: 65, 45, 30 V

... Aplicações típicas Processamento de sinais Comutação Amplificação Classe comercial / industrial Sufixo -Q: Em conformidade com AEC-Q101x) Sufixo -AQ: em qualificação AEC-Q101 *) Características Objetivo geral Três grupos de ganho de ...

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Diotec
transistor de efeito de campo
transistor de efeito de campo
COM-MOSFET

Corrente: 2 A
Tensão: 36 V

... Com este MOSFET, pode controlar uma tensão de até 36 Volts. Com a modulação da largura do impulso, a tensão do meio de raiz pode ser baixada (por exemplo, para diminuir uma luz LED). COMPATÍVEL COM Arduino, Raspberry Pi, etc. TENSÃO ...

transistor IGBT
transistor IGBT
StakPak

Corrente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensão: 4.500, 5.200 V

... StakPak é uma família de transístores bipolares de porta isolada de alta potência (IGBT) e díodos em uma carcaça modular avançada que garante uma pressão de chip uniforme em pilhas de múltiplos dispositivos. Embora o ...

transistor IGBT
transistor IGBT
RV1S series

... Os fotoacopladores para automóveis (saída de transístor, saída IC) estão disponíveis em pequenas embalagens com elevada resistência dieléctrica (3,75KV) e funcionamento a altas temperaturas até 135 °C. Isto facilita a ...

módulo de transistores de potência
módulo de transistores de potência
AFM906N

Tensão: 7,5 V

... saída de rádio portátil de banda UHF Estágio de saída para rádio portátil de 700-800 MHz Controlador genérico de 6 W para transístores de fase final ISM e de radiodifusão ...

transistor bipolar
transistor bipolar
50A02CH

Corrente: -0,5 A
Tensão: -50 V

... 50A02CH é um transístor bipolar, VCE(sat) baixo, PNP simples para aplicação em amplificadores de uso geral de baixa frequência. Aplicações Amplificador de Baixa Frequência Comutação de alta velocidade Acionamento de ...

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Fairchild Semiconductor
transistor bipolar
transistor bipolar

... A Toshiba oferece uma vasta gama de transístores bipolares adequados para várias aplicações, incluindo dispositivos de radiofrequência (RF) e de alimentação eléctrica. ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPD900P06NM

Corrente: -16,4 A
Tensão: -60 V

... MOSFETs de canal P em nível normal e lógico, reduzindo a complexidade do projeto em aplicações de média e baixa potência Os MOSFETs OptiMOS™ de canal P de 60V em pacote DPAK representam a nova tecnologia destinada a aplicações de gestão ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
L9338

Corrente: 0,4 A - 45 A
Tensão: 36 V - 70 V

... A ST oferece uma vasta gama de interruptores inteligentes de 3 e 5 pinos (OMNIFET) com base na tecnologia VIPower (energia inteligente vertical). Esta tecnologia proprietária permite a integração de circuitos de controle e proteção digitais ...

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STMicroelectronics
transistor MOSFET
transistor MOSFET
IRF series

Tensão: -400 V - 1.000 V

... A Vishay é o fabricante número um do mundo de MOSFETs de baixa potência. A linha de produtos Vishay Siliconix Power MOSFET inclui dispositivos em mais de 30 tipos de embalagem, incluindo as famílias MICRO FOOT® e PowerPAK® termicamente ...

transistor bipolar
transistor bipolar

Tensão: 0,24 V - 3,5 V

transistor com transistor bipolar de porta isolada
transistor com transistor bipolar de porta isolada
BID series

Corrente: 5, 20, 30, 50 A
Tensão: 600 V

... O IGBT discreto da série BID da Bourns® combina a tecnologia de uma porta MOS e de um transístor bipolar, criando o componente certo para aplicações de alta tensão e alta corrente. Este dispositivo utiliza ...

transistor bipolar
transistor bipolar
BCX51

Tensão: 45 V

... DESCRIÇÃO: Os tipos SEMICONDUTOR CENTRAL BCX51, BCX52 e BCX53 são Transistores de Silício PNP fabricado pelo processo epitaxial planar, epoxi moldado em um pacote de montagem superficial, projetado para aplicações de ...

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Central Semiconductor
transistor bipolar
transistor bipolar
BC337-25

Corrente: 0,8 A
Tensão: 50 V

... Ganho de corrente DC hFE Max.:400 Ganho de corrente DC hFE Min.:160 Descrição:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor Bipolar IC (A):0.8 PD (W):0.625 Pacote:TO-92 Polaridade: NPN Estado:Ativo TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...

módulo de transistores IGBT
módulo de transistores IGBT
SKiiP 11NAB065V1

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SEMIKRON
transistor FET
transistor FET

... portfólio de Transistores Bipolares RF de Silício e FETs de GaAs Os transistores GaAs FET RF são ideais para o primeiro ou segundo estágio da estação base LNA devido à excelente combinação de baixo ruído ...

transistor bipolar
transistor bipolar
DMB series

Tensão: 20, 50 V

... Transistor MOSFET e NPN de canal N em um único pacote Baixa Resistência a On-Resistência Tensão muito baixa do limiar do portão, 1,0 V máx Baixa capacitância de entrada Velocidade de comutação rápida Baixa Vazamento ...

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Diodes Incorporated
transistor bipolar
transistor bipolar

Corrente: 10 A - 1.600 A
Tensão: 600 V - 1.700 V

... Greegoo oferece módulos IGBT (transístor bipolar de porta isolada) em diferentes topologias, classificações de corrente e tensão. A partir de 15A a 1600A em classes de tensão de 600V a 1700V, os módulos ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
700 V | TOPSwitch-HX

Tensão: 110, 265 V

... Descrição: TOPSwitch-HX incorpora um MOSFET de 700 V de potência, fonte de corrente comutada de alta tensão, controle PWM, oscilador, circuito de desligamento térmico, proteção contra falhas e outros circuitos de controle em um dispositivo ...

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Power Integrations
transistor IGBT
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IXYS
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