概要 Advanced EnergyのTrek E‑chuck(静電チャック)用電源は、クランプ電圧、オフセット電圧、DCバイアスオフセットの精密制御と、過電流(over‑current)、ウェーハ検出(wafer‑present)、ウェーハクランプ(wafer‑clamped)のしきい値設定を組み合わせています。カスタムのクランプ/デクランプシーケンスやプログラム可能な波形により、チャック動作を最適化してウェーハの付着やポッピングを低減し、半導体製造のスループットと歩留まりを改善します。
製品ステータス Active
主な機能 - 監視されるしきい値:over‑current、wafer‑present、wafer‑clamped
- 調整可能な電圧:クランプ電圧およびオフセット電圧
- バイアス制御:内部または外部のDCバイアスオフセット制御
- カスタマイズ可能なシーケンス:クランプ/デクランプのシーケンスおよびプログラム可能な波形
- ウェーハの付着(sticky)やポッピングを防止するよう設計
- スループットを向上させ、ウェーハ損傷を低減し、歩留まりを向上
技術資料(抜粋) - Trek 645 データシート — データシート — PDF — 111 KB — 2024年2月6日
- Trek 645‑HT データシート — データシート — PDF — 163 KB — 2025年12月11日
- Trek 646 データシート — データシート — PDF — 116 KB — 2024年2月18日
- Electrostatic Semiconductor Wafer Clamping/Chucking System (ESC) Application Note — アプリケーションノート — PDF — 607 KB — 2023年6月15日
用途 デポジション、エッチング、イオン注入、電子ビーム検査など、静電チャックの電源制御が必要な半導体製造プロセス向け。
仕様 / 技術仕様 - 制御パラメータ:over‑current、wafer‑present、wafer‑clamped のしきい値
- 電圧制御:調整可能なクランプ電圧およびオフセット電圧
- バイアス制御:内部または外部のDCバイアスオフセット制御
- シーケンス制御:構成可能なクランプ/デクランプシーケンスおよびプログラム可能な波形
- 主な利点:ウェーハ損傷を低減し、付着とポッピングを防ぎ、歩留まりとスループットを改善
- 参照モデル:Trek 645、Trek 645‑HT、Trek 646