インピーダンス試験機 M2 Turret Edition

容量漏電パフォーマンス

概要
Wide bandgapパワー製品向けの次世代テスタープラットフォーム。ロータリータレットおよびコンベアハンドラ向けの高スループット生産に対応し、静的パラメータ、動的スイッチング性能、熱的ダイアタッチ品質、ゲート酸化膜指標を計測し、アバランシェや短絡などのストレス試験をモジュラーな高性能テストジェネレータで実行します。

主な利点

• 最大スループット：UPH 最大15,000台以上（インデックス並列方式のタレット試験）。
• 幅広いデバイス対応：SiC、GaN、Siのパワーデバイス（MOSFET、IGBT、JFET、双極デバイス、ダイオード等）。
• 生産対応設計：ロータリー／コンベアハンドラとのインタフェース、モジュール式で拡張可能。

製品概要 / 機能
M2 Turret Editionは超高速テストジェネレータと最適化ソフトウェアを統合し、複数ジェネレータにテスト計画を分散して最高速度を実現します。24/7の高ボリューム生産を想定して設計され、Quasar／Pulsar ACモジュール、DCパラメトリックモジュール、QA／熱モジュールなどの追加オプションを備えます。

機能 / 構成（概要）
Variants: Turret | Turret Pro | Turret Pulsar | Turret Pulsar Pro
テストサイト数: 4 — HVLV 3kV 200A, RG, Quasar AC test, QA station | 6 — HVLV 3kV 200A, RG, Quasar AC test, FB, UIS, QA station | 4 — HVLV 3kV 200A, RG, Pulsar AC test, QA station | 6 — HVLV 3kV 200A, RG, Pulsar AC test, FB, UIS, QA station
AC動的スイッチ性能: M2 DS5 Quasar 最大2kA短絡 | M2 DS5 Quasar 最大2kA短絡 | M2 DS6 Pulsar 最大7.5kA短絡 | M2 DS6 Pulsar 最大7.5kA短絡
DCパラメトリック試験: 3kV 200A（統合） | 3kV 200A（統合） | 3kV 600A（統合）— 1,000Aまで拡張可 | 3kV 600A（統合）— 1,000Aまで拡張可

適用分野
KGD、パッケージディスクリート、モジュールなど生産工程全体の高スループット電気試験に適合。ウェーハプローブ、ディスクリートストリップ試験、最終試験の各工程で使用可能です。

技術仕様

• プラットフォーム：M2 モジュラーで拡張可能、超高速電気試験に最適化。
• スループット：UPH 最大15,000台以上（インデックス並列方式）。
• 対応技術：SiC、GaN、Si。
• 試験種類：静的パラメトリクス、DCパラメトリック、AC動的スイッチング、熱的ダイアタッチ（deltaVSD）、ゲート抵抗・容量、アバランシェ・短絡ストレス試験、UIS/ボディダイオード試験。
• DCパラメトリック能力：最大3 kV統合、標準200 A（一部構成）。Pulsar構成は3 kV 600 A統合、1,000 Aまで拡張可能。
• AC動的スイッチ：Quasar (DS5) 最大2 kA、Pulsar (DS6) 最大7.5 kA短絡能力。
• 熱的ダイアタッチ試験：M1 FB deltaVSD 1 kW、最大300 V / 100 A（Pro / Pulsar Proで利用可能）。
• UISアバランシェ：2.3 kV、200 Aアンカバー誘導負荷（Pro / Pulsar Pro構成）。
• 同時サイト数：構成により4〜6、RG、Quasar/Pulsar AC、FB、UIS、QAステーションのオプションを設定可能。
• 導入：24/7運用を想定した堅牢で高精度な設計；ロータリータレットおよびコンベアハンドラとの連携を想定。