SIL2ユニバーサルトランスミッター X1-IS-UNI-01-S
DINレール

SIL2ユニバーサルトランスミッター - X1-IS-UNI-01-S - GM International S.p.A. - DINレール
SIL2ユニバーサルトランスミッター - X1-IS-UNI-01-S - GM International S.p.A. - DINレール
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特徴

タイプ
DINレール, SIL2

詳細

ユニバーサルX1-IS-UNI-01モジュールは、高リスク産業の安全関連システムでSIL 3またはSIL 2レベル(アプリケーションによる)を必要とするアプリケーションに適した高信頼性インターフェースです。その高い柔軟性により、2線式アクティブ/パッシブ4-20mA(AI)、スマートポジショナ(AO)、スイッチ、近接検出器(DI)、ソレノイドバルブ、その他のプロセス制御デバイス(DO)とインターフェースできます。HART®通信は、アクティブおよびパッシブ送信機、I/Pの両方でサポートされています。モジュールは常に電流を吸収しますが、端子板を使用することでソースループにも使用できます。プログラム可能なラインおよび負荷の開放/短絡検出、範囲外の電流障害機能も提供されています。モジュールは再プログラムなしでアプリケーションに自動的に適応します。必要に応じて、構成ソフトウェアを使用して再校正できます。メンテナンスを容易にするために、フィールドデバイスは2ポジションの挿入/抽出メカニズムを介して切断できます。この製品には専用の端子板が必要です。 - SIL 3/2 / SC 3 アプリケーションによる - ゾーン0 / ディビジョン1からの入力 - ゾーン2 / ディビジョン2への設置 - メンテナンスを容易にするためのループ切断 - 構成なしでAI、AO、DI、DOアプリケーションに最適 - HART®互換(パッシブおよびアクティブAI/AOループ) - ラインおよび負荷の短絡/開放のプログラム可能な診断 - プログラム可能なしきい値を持つ範囲外の障害 - 構成ソフトウェアを介したデジタルキャリブレーション - 入力および出力の短絡保護 - DCS/PLC UNIカードへのフィールド障害のミラーリング - 高精度 - ポートアイソレーション、入力/出力/供給 技術仕様: - AI消費電力: 0.90 W(パッシブTx)、1.05 W(アクティブTx)、20 mA、24 V + 250 Ω @ 24 Vdc、典型的。 - AO消費電力: 典型的0.75 Vdc、I/P出力20 mA、24 W。 - DI消費電力: 典型的0.95 W、24 Vdcで短絡入力。 - DO消費電力: 典型的1.60 mAで40 W、24 Wで35 mAで1.40 Vdc。 - システム供給: 電圧: 名目24 Vdc(18–30 Vdc)。 - AI電流消費: 典型的32 mA(パッシブTx)、18 mA(アクティブTx)、20 mA @ 24 Vdc。 - AO電流消費: 典型的30 Vdcで20 mA、I/P出力で24 mA。 - DI電流消費: 典型的24 mAで30 Vdcで短絡入力。 - 総電流消費: 典型的67 mA(40 mA @ 24 Vdc)。 - システム入力/出力: タイプ: フィールドからミラーリングされた0–40 mAの電流。モジュールは常に電流を吸収しますが、端子板を使用することでソースループにも使用できます。 - 応答時間: 5 ms。 - 最大負荷: 600 Ω(AI使用)。 - 最小電圧: 15 V(AI、DI、DO使用)。 - 最大電圧: 30 V(すべてのアプリケーション)。 - フィールド入力/出力: タイプ: 端子と使用に依存するフィールドインターフェース仕様。 - 電流制限: すべてのアプリケーションに対して典型的45 mA。 - AI: 4–20 mAの電流、パッシブまたはアクティブTx + HART。 - AIパッシブTxライン電圧: 最小20 Vで15.5 mA。 - AIアクティブTx電圧降下: 最大20 Vで6.5 mA。 - AO: 4–20 mAの電流 + HART。 - AO最大負荷: 600 Ω。 - DI: 標準8 V/1 kΩ、NAMUR準拠。 - DO: 0–40 mA、40 mA(60°C)から35 mA(70°C)への線形減少。 - DO出力電圧: 最小40 Vで8.5 mA。 - 障害: タイプ: 電圧、電流、抵抗のプログラム可能な制限を持つ負荷短絡/開放。 - 障害信号: DCS/PLC IOでの共通障害と障害ミラーリング。 - パフォーマンス: 参照条件: 24 V供給、250 Ω負荷、23 ± 1°C環境。 - キャリブレーション精度: ≤ ±20 μA。 - 線形性精度: ≤ ±20 μA(4–20 mA)、±60 μA(0–40 mA)。 - 温度影響: ≤ ±2 μA/°C。 - アイソレーション: タイプ: フィールドI/O/システムI/O 2.5 kV、フィールドI/O/システム供給2.5 kV、システムI/O/システム供給500 V。 - 環境条件: 動作温度: -40から+70°C。 - 保管温度: -45から+80°C。 - 安全説明: 機器: 関連機器および防爆電気機器。 - 安全パラメータ: 端子AZ: Uo = 26.7 V, Io = 92 mA, Po = 610 mW。端子CZ: Uo = 10.7 V, Io = 11 mA, Po = 29 mW。端子BZ: Uo = 1.1 V, Io = 56 mA, Po = 16 mW。端子BZ: Ui = 30 V, Ii = 120 mA, Ci = 0.6 nF, Li = 0 µH。Um = 250 VrmsまたはVdc、-40°C ≤ Ta ≤ 70°C。 - 取り付け: カスタム端子板に取り付け。 - 重量: 約50g。 - 寸法: 幅10 mm、奥行き80 mm、高さ120 mm。

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*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。