InGaAsフォトダイオード G14858-0020AA

アバランシェ

暗電流を大幅に低減したAPD 新たな素子構造の採用と、プロセス工程の改善により、従来品よりも大幅に暗電流を低減したInGaAs APD (アバランシェ・フォトダイオード)です。距離計測・微弱光検出などに用いられます。 ■特長 ・低暗電流 ・低容量 ・高感度 仕様 • 素子数 : 1 • 受光面サイズ : φ0.2 mm • パッケージ : メタル • パッケージカテゴリ : TO-18 • 感度波長範囲 : 950～1700 nm • 最大感度波長 typ. : 1550 nm • 受光感度 typ. : 0.8 A/W • 暗電流 max. : 50 nA • 遮断周波数 typ. : 900 MHz • 端子間容量 typ. : 2 pF • 降伏電圧 typ. : 65 V • 降伏電圧の温度係数 typ. : 0.1 V/℃ • 測定条件 : Ta=25 ℃, 受光感度: λ=1.55 μm, M=1