シリコンフォトダイオード S series

赤外線UV用

紫外～可視精密測光用、近赤外感度抑制タイプのフォトダイオード ■特長 ・高紫外感度: QE＝75 % (λ=200 nm) ・近赤外感度抑制タイプ ・低暗電流 ・高信頼性 • 受光面サイズ : 1.1 × 1.1 mm • 素子数 : 1 • パッケージ : メタル • パッケージカテゴリ : TO-18 • 冷却 : 非冷却 • 逆電圧 max. : 5 V • 感度波長範囲 : 320～1000 nm • 最大感度波長 typ. : 720 nm • 受光感度 typ. : 0.36 A/W • 暗電流 max. : 2 pA • 上昇時間 typ. : 0.15 μs • 端子間容量 typ. : 35 pF • 雑音等価電力 typ. : 1.6×10-15 W/Hz1/2 • 測定条件 : 指定のない場合はTyp. Ta=25 ℃, 受光感度: λ=720 nm, 暗電流: VR=10 mV, 端子間容量: VR=0 V, f=10 kHz