パルスレーザー光源 NPFL-80IR-1.01

サブナノ秒光ファイバー赤外線

機械の特長

• サブナノ秒パルス（0.1–0.2 ns、カスタマイズ可能）; 回折限界に近いビーム品質（M2 ≤1.5）; 単一パルス最大エネルギー 0.8 mJ
• オールファイバー光学構成により、安定した出力（出力安定性 ≤3 %／24h）を実現し、半導体・太陽電池分野での加工性能を向上
• 繰返し周波数 100–2000 kHz（可変）および出力調整範囲 0–100 % によりプロセスの柔軟性を確保
• コンパクトな設置面積、応答時間 <100 μs、および制御されたビームパラメータ（スポット径 3.0±0.2 mm、楕円率 typ. 92 %）

用途

• ガラス、シリコン、セラミックスの切断、穴あけ、切り込み
• 金属や薄膜の薄膜パターニングおよび微細加工
• ガラス、シリコン、セラミックス、金属、プラスチックへの永久マーキング

技術データシート
機種：Infrared Sub-nanosecond Laser NPFL-80IR-1.01
動作モード：パルス
平均出力 (W)：80
中心波長 (nm)：1064
スペクトル線幅 (nm)：<30；3 dBライン幅
繰返し周波数 (kHz)：100-2000；可変
パルス幅 (ns)：0.1-0.2 ns；カスタマイズ可能
最大単一パルスエネルギー (mJ)：0.8
出力調整範囲 (%)：0-100
応答時間 (μs)：<100
ビーム品質 (M2)：≤1.5
出力安定性 (%)：≤3 %；24 h
ビームスポットサイズ (mm)：3.0±0.2；1/e2
ビーム楕円率 (%)：>90；typ. 92 %
ビームオフセット (mm)：<1.0
ビーム発散角 (mrad)：<0.5

技術仕様

• モデル：NPFL-80IR-1.01
• モード：パルス
• 平均出力：80 W
• 波長：1064 nm
• スペクトル線幅：<30 nm（3 dB）
• 繰返し周波数：100–2000 kHz（可変）
• パルス幅：0.1–0.2 ns（カスタマイズ可能）
• 最大単一パルスエネルギー：0.8 mJ
• 出力調整：0–100 %
• 応答時間：<100 μs
• ビーム品質 (M2)：≤1.5
• 出力安定性：≤3 %（24 h）
• スポットサイズ：3.0 ±0.2 mm（1/e2）
• 楕円率：>90 %（typ. 92 %）
• ビームオフセット：<1.0 mm
• 発散角：<0.5 mrad