パルスレーザー光源 HPF-50-IR

フェムトセカンド超短パルス固体

機械の特長

• フェムト秒パルス
• 高いパルスエネルギーとピークパワー
• 回折限界に近いビーム品質
• 高い安定性と信頼性

用途
本レーザーは高性能なチャープドパルス増幅（CPA）技術を採用し、回折限界に近いフェムト秒出力を実現します。半導体および民生用電子機器の分野で、精密なマイクロ加工と安定したプロセス性能を目的に広く採用されています。

• 切断、穴あけ、スクライブ（ガラス、シリコン、セラミック、フレキシブル基板）
• 薄膜パターニング（金属、薄膜）
• マーキング（ガラス、シリコン、セラミック、金属、プラスチック）

技術仕様 (Technical Data Sheet)
動作モード：Pulse
平均出力（W）：50 W @ 600 kHz（代替：20 W @ 100 kHz）
中心波長（nm）：1030
スペクトル幅（nm）：<3（3 dB）
繰返し周波数（kHz）：50-2000（可変）
パルス幅（fs）：600-30000（カスタマイズ可）
最大単一パルスエネルギー（µJ）：200
出力調整範囲（%）：0-100
応答時間（µs）：<100
ビーム品質（M2）：≤1.3
出力安定性（%）：≤2（24 h）
スポットサイズ（mm）：2.5±0.3（1/e2）
スポットの楕円率（%）：>90（typ. 93%）
ビームオフセット（mm）：<1.0
ビーム発散角（mrad）：<0.5

特性 / 仕様詳細

• 動作モード：Pulse
• 平均出力：50 W @ 600 kHz（代替：20 W @ 100 kHz）
• 中心波長：1030 nm
• スペクトル幅：<3 nm（3 dB）
• 繰返し周波数：50-2000 kHz（可変）
• パルス幅：600-30000 fs（カスタマイズ可）
• 最大単一パルスエネルギー：200 µJ
• 出力調整範囲：0-100%
• 応答時間：<100 µs
• ビーム品質（M2）：≤1.3
• 出力安定性：≤2%（24 h）
• スポットサイズ：2.5±0.3 mm（1/e2）
• スポット楕円率：>90%（typ. 93%）
• ビームオフセット：<1.0 mm
• ビーム発散角：<0.5 mrad