フラッシュメモリ UD310/220

NAND

5Gスマートフォン向け次世代モバイルNANDフラッシュストレージ 最新と新の融合（V7 NANDと新SoC) SK hynixのNANDフラッシュは、実績のある強固な技術プラットフォームに支えられ、モノダイの密度や利用可能な容量構成が進化し続けています。今回、UD310（UFS3.1）とUD220（UFS2.2）は、最新の176層4D NANDを搭載し、5Gスマートフォンの厳しい要件を満たすために小型・薄型パッケージに収められた大容量・高性能モバイルストレージとして発表されました。 UD310 世界初、176層NANDフラッシュ搭載のUFS3.1 SK hynixのUFS3.1は、V7 NANDフラッシュ技術で世界初のスマートフォンを実現します。 省スペースのパッケージ UD310は、11x13mmに縮小されたパッケージと0.8mmの低いZ-heightを特徴とし、5Gハンドセットや様々なモバイル機器に快適にフィットし、発熱を抑え、より効率的に動作する。 世代を超えた大幅な性能向上 V7 NANDを搭載した当社のUFS3.1/UFS2.2は、UFS3.0/UFS2.1よりも大幅な性能向上を実現しています。