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- 電子部品
- バイポーラ型フォトトランジスタ
- OSRAM Opto Semiconductors
NPNフォトトランジスタ Metal Can TO18シリコン
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特徴
- タイプ
- NPN
- その他の特徴
- シリコン
- 電流
0.01 mA, 0.2 mA, 1.65 mA
詳細
立ち下がり時間
tf 典型
8.0 µs
立ち上がり時間
tf 典型
8.0 µs
感度のスペクトル範囲（標準）
λ10% 最小
450 nm
λ10% 最大
1100 nm
放射感度領域
A 典型
0.11 mm²
ビーム角
∢ 典型
110 °
寸法
l 典型
5.35 mm
w 典型
5.35 mm
h 典型
3.3 mm
動作温度
Top 最小
-40 °C
Top 最大
80 °C
アプリケーション分野
産業
工場自動化
カタログ
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