衝撃圧テスト システム PST6747Ai series

研究開発用実験用OEM用

製品概要
PST6747Aiシリーズは、パワー半導体デバイスの静的パラメータを精密に測定・解析するための半導体試験システムです。3 kV（10 kVオプション）/2200 Aまで対応し、高速パルス動作や fA レベルの電流検出をサポートし、IGBT、GaN、SiC 等の最新デバイスの特性評価に適しています。

モデル

• PST6747Ai：高精度、研究開発向け。試験レポートは詳細な特性曲線とパラメータを提供します。
• PST6747Ai-F：高精度、工場出荷前の製品試験向け。レポートはユーザードキュメントに利用可能です。
• PST6747Ai-L：標準精度、材料受入れ／供給元比較試験向け。メーカーの報告と比較しやすい形式のレポートを提供します。

モジュラー設計とハードウェア
本シリーズはモジュラー設計を採用し、P6701B（3 kV 高電圧高精度源）、P6703B（高精度源）、P6705A（2200 A 高電流源）などの独立した高精度電源モジュールを用います。各電源モジュールは 2 µs サンプリングの二つの独立ADコンバータを備え、モジュールごとのドライブは独立制御可能で、タイミングに依存する特性を正確に捉えるための時間監視が可能です。

ソフトウェアとデータ管理
付属ソフトウェアは計測制御とデータ管理を簡素化し、ユーザーのワークフローに応じてカスタマイズ可能で、詳細なレポートや測定ログの出力をサポートします。

適用例
パワー半導体および電力回路部品の静的パラメータ測定に設計されています。代表的な用途：研究開発での特性評価、工場での出荷前試験、サプライヤー／材料の比較試験（IGBT、GaN、SiC 等）。

仕様 / 技術データ

• 測定電圧：標準で最大 3 kV（10 kV オプション）。
• 測定電流：最大 2200 A。
• 高速パルステストおよび fA レベルの電流検出をサポート。
• 最新のパワーデバイスに適した広い電圧・電流測定レンジ。
• 独立した高精度電源モジュールによるモジュラー設計（例：P6701B、P6703B、P6705A）。
• 各電源モジュールに二つの独立ADコンバータを搭載、サンプリング 2 µs。
• モジュールごとの独立かつ精密なドライブ制御；タイミングの精密監視。
• シリーズ内の三モデル：PST6747Ai、PST6747Ai-F、PST6747Ai-L（精度と用途による差異）。
• 測定制御・データ管理用のカスタマイズ可能なソフトウェア。
• IGBT、GaN、SiC 等の次世代パワー半導体の試験に適用可能。