MOSFETトランジスタ SCT4013DR
電源スイッチングシリコン

MOSFETトランジスタ - SCT4013DR - ROHM Semiconductor - 電源 / スイッチング / シリコン
MOSFETトランジスタ - SCT4013DR - ROHM Semiconductor - 電源 / スイッチング / シリコン
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特徴

タイプ
MOSFET
技術
電源, スイッチング
その他の特徴
シリコン
電流

105 A

電圧

750 V

詳細

SCT4013DRはアプリケーションの小型化や低消費電力化に貢献するSiC MOSFETです。パッケージはSiC MOSFETの特長である高速スイッチング性能を最大限に引き出すことができるドライバソース端子を有します。 ロームの第4世代SiC MOSFET SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。

カタログ

見本市

この販売者が参加する展示会

ELECTRONICA 2026
ELECTRONICA 2026

10-13 11月 2026 Munich (ドイツ) ホール C3 - ブース 520

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    *価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。