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Würth Elektronik eiSos
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セラミックインダクタ
WE-MCI
高周波
誘導型
多層
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特徴
技術
セラミック
電気的特性
誘導型, 高周波
構造
多層, ダブル
一次電流
最少:
110 mA
最大:
1,300 mA
詳細
セラミックボディの積層インダクタ 動作温度範囲: -55 ºC ~ +125 ºC 両極性マーキング 誘導性公差5%; 0.3 nH AEC-Q200 自動車用認定 用途 インフォテインメント キーレスエントリー フィルター回路 高周波回路 ブルートゥース
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*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。
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