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電流: 15 A
電圧: 140 V
... MJ15001/MJ15002 は、 ハイパワー・オーディオやディスク・ヘッド・ポジショナなどのリニア・アプリケーション向けに設計されたパワー トランジスタです。 ...
Onsemi
電流: 24 A
電圧: 1,700 V
... 高精細CRTディスプレイ用に開発された「Enhanced High Voltage Structure」（EHVS1）を採用した「Diffused Collector in Planar」技術を採用しています。 このHDシリーズは、シリコン効率を向上させることで、水平偏向ステージの性能を向上させています。 すべての特徴 最先端技術：拡散コレクター "エンハンスドジェネレーション "EHVS1 動作温度変化の影響を受けにくい 最適な駆動条件をより広く提供 U.L.規格に準拠した完全絶縁型パワーパッケージ ...
STMicroelectronics
電圧: 60 V
... 説明: セン トラルセミコンダクターBCV47は、エピタキシャル平面プロセスで製造されたシリコンNPNダーリントン トランジスタで、表面実装パッケージでエポキシ成形され、非常に高い利得を必要とするアプリケーション向けに設計されています。 マーキングコード:FG。 ...
Central Semiconductor
電流: 0.8 A
電圧: 50 V
... DC 電流ゲインhFE 最大.: 400 DC 電流ゲインhFE 最小: 160 説明: TO-92, 50V, 0.8A, NPN バイ ポーラ トラ ンジ スタ IC (A): 0.8 PD (W): 0.625 パッケージ: TO-92 極性: NPN ステータス: アクティブ TJマックス. (° C): 150 VCBO (V): ...
電圧: 20, 50 V
... NチャネルMOSFETおよびNPN トランジスタを1つのパッケージに搭載した 低オン抵抗 超低ゲートスレッショルド電圧、最大 1.0V 低入力容量 高速スイッチング速度 低入出力リーク 超小型表面実装パッケージ リード、ハロゲンおよびアンチモンフリー、RoHS 準拠（注 2） ESD 最大 2kVの 「グリーン」デ バイス（注 3）の保護 MOSFETゲート（ 高信頼性のためのAEC-Q101 規格に適合） ...
Diodes Incorporated