ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のロームの電源トランジスタ

電流: 20 A
電圧: 650 V

GNP1070TC-Zは650V GaN HEMTです。業界最高クラスのFOM(Ron*Ciss、Ron*Coss)を有し、低いオン抵抗と高速スイッチング性能を最大限生かすことで省エネ・小型化に貢献するEcoGaN™シリーズの製品であり、ESD保護機能付きで高信頼性設計にも貢献します。また、大電流対応かつ放熱性にも優れる汎用性の高いDFNパッケージは、実装工程でのハンドリングを容易にします。

電流: 12 A
電圧: 40 V

HT8KB5はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型ハイパワーパッケージ(HSMT8) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー

電流: 10 A
電圧: 60 V

HT8KC5はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型ハイパワーパッケージ(HSMT8) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー

電流: 95 A
電圧: 40 V

RH6G040BGはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型ハイパワーパッケージ（HSMT8） 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー

電流: 60 A
電圧: 150 V

RS6R060BHはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 ハイパワーパッケージ(HSOP8) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー 100% Rg及びアバランシェ耐量試験済

電流: 210 A
電圧: 40 V

RS6G120BGはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 ハイパワーパッケージ(HSOP8) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー 100%Rg及びアバランシェ耐量試験済

電流: 60 A
電圧: 100 V

... は低オン抵抗のPower MOSFETです。スイッチングやモータ駆動、DC/DCコンバータのアプリケーションに最適です。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージで省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー 100% Rg及びアバランシェ耐量試験済

電流: 6.5 A
電圧: 60 V

SH8KC6はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。独立した60V MOSFETを小型SOP8パッケージに2素子複合しています。

電流: 4 A
電圧: 650 V

R6xxxENxシリーズは使いやすさを重視した、低ノイズ性能が特徴のSuper Junction MOSFET製品です。このシリーズ製品は、オーディオや照明等といった、ノイズを極力抑えたいアプリケーションにおいて、ベストなパフォーマンスを実現致します。

電流: 3 A
電圧: 800 V

R8xxxKNxシリーズは高効率性を重視した、高速スイッチング性能が特徴のSuper Junction MOSFET製品です。このシリーズ製品は、高速スイッチングを追求するアプリケーションにおいて、ベストなパフォーマンスを実現致します。高速スイッチング性能はPFCやLLC等の回路において、高効率化に貢献します。