- 電気・電子機器 >
- 電子部品 >
- MOSFETトランジスタ >
- ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のロームのMOSFETトランジスタ
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
電流: 24 A
電圧: 40 V
HP8KB6はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省ス ペース鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 24 A
電圧: 40 V
HP8KB7はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省 スペース鉛フリー対応済み、RoHS 準拠ハロゲンフリー
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 23 A
電圧: 60 V
HP8KC6はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 24 A
電圧: 60 V
HP8KC7はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 17 A
電圧: 100 V
HP8KE6はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 24 A
電圧: 100 V
HP8KE7はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 16.5 A
電圧: 40 V
HP8MB5はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 12 A
電圧: 60 V
HP8MC5はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型面実装パッケージ(HSOP8)で省スペース 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 12 A
電圧: 40 V
HT8KB5はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型ハイパワーパッケージ(HSMT8) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 10 A
電圧: 60 V
HT8KC5はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 小型ハイパワーパッケージ(HSMT8) 鉛フリー対応済み、RoHS準拠 ハロゲンフリー
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
改善のご提案 :
詳細をお書きください:
サ-ビス改善のご協力お願いします:
残り