{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
地球上の物質の中で最高の熱伝導率を有する合成ダイヤモンド単結晶です。 チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。
Sumitomo Electric Ltd
CVD(Chemical Vapor Deposition)法によって得られるバインダーを含まない多結晶ダイヤモンドです。チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。
Sumitomo Electric Ltd
銅とダイヤモンドの複合材料です。GaAsやGaNの化合物半導体材料に近い熱膨張係数でありながらCu以上の熱伝導率を有しています。チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。
Sumitomo Electric Ltd
... 地球上の物質の中で最高の熱伝導率を有する合成ダイヤモンド単結晶です。 チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。 用途例 - 半導体レーザ用サブマウント 等 物質中最も高い熱伝導率を有するダイヤモンドの放熱基板です。 ...
A.L.M.T. Corp.
... CVD(Chemical Vapor Deposition)法によって得られるバインダーを含まない単結晶ダイヤモンドです。チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。 用途例 - 半導体レーザ用サブマウント、パワートランジスタ用基板 等 CVDダイヤモンド - CVD(Chemical Vapor Deposition)法による、厚み0.2～0.4mmのダイヤモンドの放熱基板です。 ...
A.L.M.T. Corp.
... 銅とダイヤモンドの放熱基板です。GaAsやGaNの化合物半導体に近い熱膨張係数でありながらCu以上の熱伝導率を有しています。チップマウント、ワイヤボンディング用の各種メタライズ薄膜を形成することが可能です。 用途例 - 半導体レーザ用サブマウント、パワートランジスタ用基板 等 熱膨張率を化合物半導体(GaAs,GaN)に合わせた高熱伝導放熱基板です。 ...
A.L.M.T. Corp.
... 銀とダイヤモンドの放熱基板です。Cu-Diamondよりも高い熱伝導率 600W/(ｍ･K) を有しており、50×50mmの大面積の用途へも適用可能です。 用途例 - 無線、セラミックスパッケージ、パワートランジスタ用基板、MPU 等 Cu-Diamondよりも高い熱伝導率 600W/(ｍ･K) を有しており、50×50mm の大面積の用途へも適用可能です。 ...
A.L.M.T. Corp.
... - 低い窒素-空孔中心(NV中心)濃度: 0.03 ppb以下 - 3種類のサイズをご用意 • 2.0 mm x 2.0 mm角 • 4.0 mm x 4.0 mm角 • 4.5 mm x 4.5 mm角 こちらの電子グレードの単結晶ダイヤモンドは、5 ppb以下の窒素濃度と、通常0.03 ppb以下の窒素-空孔中心(NV中心)濃度を有します。また、バックグラウンド不純物がホウ素濃度1 ppb以下と非常に低く、通常2000 cm2/V⋅sを超える電子移動となります。これらのダイヤモンドを使用して、as-grownのNV欠陥を調べたり、イオン注入またはエピタキシャル成長によって独自のNV欠陥を生成したりすることができます。また、放射線検出器などのカスタム仕様のダイヤモンド電子デバイス用だけでなく、高出力レーザやマイクロ電子デバイス用に、高い熱伝導性および光学的な透明性を有するヒートシンクとして利用する用途にもお使いいただけます。ダイヤモンドのサイズは2.0 ...