MOSFET モジュール

電流: 21 A
電圧: 6 V - 28 V

... BV1HB045EFJ-Cは車載用1ch ハイサイドスイッチです。出力の異常モードである地絡検出（過電流制限機能）、過熱保護機能や、負荷オープン検出機能、低電時出力OFF機能を内蔵しており、異常検出時の診断出力機能を備えています。また、出力電流に対する電流センス機能を備えています。 特長: 電流センス機能内蔵Dual TSD内蔵(ジャンクション温度を検知する過熱保護とPower-MOS の急峻な温度上昇を検知するΔTj 保護の2 種類の温度保護を内蔵)AEC-Q100 対応(Grade 1)過電流保護機能(OCP)内蔵過熱保護機能(TSD)内蔵負荷オープン検出機能内蔵低電圧時出力OFF機能(UVLO)内蔵診断出力内蔵低オン抵抗のNch ...

電流: 5 A
電圧: 7 V - 76 V

本製品は産業機器市場へ向けた、長期の供給を保証するランクの製品です。これらのアプリケーションとして、ご使用される場合に最適な商品です。BD9G500EFJ-LAは低ON抵抗の上側パワーMOSFETを内蔵した1ch降圧DC/DCコンバータです。最大5Aの電流を出力することが可能です。電流モード制御DC/DCコンバータのため高速な過渡応答性能を持ち、位相補償についても容易に設定することが可能です。周波数は100kHz～650kHzまで調節可能です。

電流: 5 A
電圧: 4.5 V - 36 V

... BD9F500QUZは低ON抵抗のパワーMOSFETを内蔵した同期整流降圧DC/DCコンバータです。最大5Aの電流を出力することが可能です。固定オンタイム制御方式を採用しており、高速な負荷応答性能を持ちます。軽負荷モード制御により、軽負荷での効率が改善されるため、待機時電力を抑えたい機器に最適です。パワーグッド機能を有しており、システムのシーケンス制御が可能です。小型パッケージにより、高電力密度で実装面積の削減が可能です。 1ch同期整流降圧DC/DCコンバータ 固定オンタイム制御 軽負荷モード制御 ...

電流: 250 mA
電圧: 60 V

RV8L002SNHZGは優れた実装信頼性をもつ車載向け超小型MOSFETで、独自のWettable Flank形成技術によってパッケージ側面電極部分の高さ125μmを保証しています。安定したはんだ品質を下部電極パッケージで確保し、部品実装後の半田付け状態の外観検査（AOI）を確実なものにします。車載ECUやADASカメラモジュールなど車載部品の小型化に貢献します。ハイサイドロードスイッチやスイッチング回路、リレードライバ用途に最適です。

電流: 7 A - 12.7 A
電圧: 30 V

... DIOFETは、パワーMOSFETとショットキー・ダイオードを組み合わせて単一のシリコン・チップにモノリシックに統合する独自のプロセスです。 内蔵のショットキーは、ボディ・ダイオードの順方向電圧降下をほぼ 50% 低減し、逆回復電荷も低減します。 このことは、導電損失とスイッチング損失が減少することを意味し、回路全体が動作温度を下げてより高い効率で動作することを意味します。 さらに、DIOFETは堅牢なアバランシェ・プロセスであり、これらのデバイスはゲート容量比が低く、シュートスルー電流のリスクを低減します。 ...

電流: 280 mA

... 概要： セントラルセミコンダクタ CMLM0205は、シングル NチャネルMOSFETと低VFショットキーダイオードで構成されるマルチディスクリートモジュール™ で、省スペースのSOT-563ケースにパッケージされています。この デバイスは、サイズと動作効率が主要な要件である小信号汎用アプリケーション向けに設計されています。 • 組み合わせ： NチャネルMOSFETと 低VFショットキーダイオード。 ...

電流: 650 mA
電圧: 40 V

... 説明: セントラルセミコンダクタ CMLM0575は、シングルNチャネルエンハンスメントモードMOSFETと低VFショットキーダイオードで構成されるマルチディスクリートモジュール™ で、省スペースのSOT-563表面実装ケースにパッケージされています。このデバイスは、サイズと動作効率が主要な要件である小信号汎用アプリケーション向けに設計されています。 特徴: • 大電流MOSFET (ID=650mA) • 最大2kVのESD保護 • 低RDS (ON) MOSFET (275mΩ ...