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Tensão direta: 350 V
Tensão inversa: 350 V
... RFN5BGE3S é o Diodo de Recuperação Rápida epitaxial de silício do tipo planar. Baixa perda de comutação Elevada capacidade de sobrecarga de corrente ...
ROHM Semiconductor
Tensão direta: 600 V
Tensão inversa: 600 V
... O RFN20TJ6SFHG é de baixa VF, baixa perda de comutação, adequado para retificação geral Baixa tensão de avanço Baixa perda de comutação Elevada capacidade de sobrecarga de corrente ...
ROHM Semiconductor
Tensão direta: 400 V
Tensão inversa: 400 V
... RF201LAM4STF é o Diodo de Recuperação Rápida Automóvel de alta fiabilidade, adequado para rectificação geral. Baixa voltagem para a frente Baixa perda de comutação Elevada capacidade de sobrecarga de ...
ROHM Semiconductor
... RF202LAM2S é um Díodo de Recuperação Rápida de baixa FV e baixa perda de comutação, que é adequado para rectificação geral. Baixa voltagem para a frente Baixa perda de comutação Elevada capacidade de ...
ROHM Semiconductor
Tensão direta: 400 V
Tensão inversa: 400 V
... RF101LAM4STF é o Diodo de Recuperação Rápida Automóvel de alta fiabilidade, adequado para rectificação geral. Baixa voltagem para a frente Baixa perda de comutação Elevada capacidade de sobrecarga de ...
ROHM Semiconductor
Tensão inversa: 10 kV - 300 kV
... Características do Produto 1. baixo vazamento, baixa potência, alta capacidade de pico. 2. Tempo de resposta rápido e eficiente. 3. Tj Faixa de Temperatura da Junção de Operação -40~+175 . 4. Proteção contra avalanche reversa. 5. Tecnologia ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tensão inversa: 5 kV - 200 kV
... Características do Produto 1. baixo vazamento, baixa potência, alta capacidade de pico. 2. Tempo de resposta rápido e eficiente. 3. Tj Faixa de Temperatura da Junção de Operação -40~+175 . 4. Proteção contra avalanche reversa. 5. Tecnologia ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tensão inversa: 2 kV - 50 kV
... Características do Produto 1. baixo vazamento, baixa potência, alta capacidade de pico. 2. Tempo de resposta rápido e eficiente. 3. Tj Faixa de Temperatura da Junção de Operação -40~+175 . 4. Proteção contra avalanche reversa. 5. Tecnologia ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tensão direta: 0,9 V
Tensão inversa: 300 V
... é um Diodo de Recuperação Ultra- rápido, fabricado com tecnologia epitaxial plana de silício avançada. O parâmetro de processo e a estrutura do dispositivo são ajustados com o desempenho otimizado da queda ...
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