Pré-amplificador de tensão 2003BT

eletrônico

- Concepção com baixo ruído: menos de 2,0 keV (Si) a 0 pF - Capacidade de alta taxa de energia: até 2 x 106 MeV por segundo - Entrada FET, protegido por diodo - Energia independente e saídas de tempo rápido - Tempo de subida rápido inferior a 3 ns a 0 pF - Tamanho pequeno - Capaz de operar numa câmara de vácuo O pré-amplificador de entrada FET sensível à carga Modelo 2003BT foi concebido para um desempenho óptimo com detectores de silício, tais como os detectores de Silício Planar Implantado Mirion (PIPS) e os detectores de Barreira de Superfície de Silício (SSB) antigos. Funcionando como conversor de carga para tensão, a unidade aceita portadores de carga produzidos no detector durante cada evento nuclear absorvido. A saída fornece então uma tensão na proporção directa da carga recolhida à taxa de 0,45 V por pC. Isto traduz-se num ganho de 20 mV por MeV para os detectores de silício à temperatura ambiente Para uso típico com detectores de silício positivamente enviesados, a saída de energia extremamente linear fornece um pulso de polaridade positiva ideal para espectroscopia de energia. A saída coincidente no tempo fornece uma polaridade negativa de pulso rapidamente diferenciada, ideal para a resolução de eventos nucleares no tempo A elevada capacidade de taxa de carga do desenho é evidenciada por uma capacidade de taxa de energia superior a 2 x 106 MeV por segundo, quando utilizado com detectores de silício. Para tirar o máximo partido de uma capacidade de taxa de contagem tão elevada, deve ser utilizado um amplificador principal com uma capacidade de taxa de contagem correspondentemente elevada, tal como o amplificador Modelo 2025 ou o modelo 2026 O funcionamento básico do pré-amplificador é indicado no esquema funcional.