Testador de impedância M2 Turret Edition

de capacidadede corrente de fugade performance

Visão geral
Plataforma de testador de nova geração para produtos de potência wide bandgap. Projetada para produção de alto rendimento com handlers rotativos e transportadores, mede parâmetros estáticos, desempenho de comutação dinâmico, qualidade de die-attach térmico, métricas de óxido de gate e realiza testes de estresse como avalanche e curto-circuito usando geradores de teste modulares de alto desempenho.

Benefícios principais

• Máximo rendimento: UPH até mais de 15.000 dispositivos por hora (teste turret index-parallel).
• Suporte amplo de dispositivos: SiC, GaN e Si, incluindo MOSFETs, IGBTs, JFETs, dispositivos bipolares e diodos.
• Pronto para produção: interfaces para handlers rotativos e transportadores com arquitetura modular e expansível.

Apresentação do produto / capacidades
M2 Turret Edition integra geradores de teste ultra-rápidos e software otimizado para dividir planos de teste entre múltiplos geradores e alcançar a máxima velocidade. O sistema foi projetado para operação 24/7 em produção de alto volume e oferece opções modulares para adicionar módulos AC dynamic switch (Quasar, Pulsar), módulos paramétricos DC e módulos QA/térmicos.

CARACTERÍSTICAS / CONFIGURAÇÕES (resumo)
Variantes: Turret | Turret Pro | Turret Pulsar | Turret Pulsar Pro
Número de sites de teste: 4 — HVLV 3kV 200A, RG, Quasar AC test, QA station | 6 — HVLV 3kV 200A, RG, Quasar AC test, FB, UIS, QA station | 4 — HVLV 3kV 200A, RG, Pulsar AC test, QA station | 6 — HVLV 3kV 200A, RG, Pulsar AC test, FB, UIS, QA station
Desempenho AC dinâmico de comutação: M2 DS5 Quasar até 2 kA curto-circuito | M2 DS5 Quasar até 2 kA curto-circuito | M2 DS6 Pulsar até 7,5 kA curto-circuito | M2 DS6 Pulsar até 7,5 kA curto-circuito
Teste paramétrico DC: 3 kV 200 A (integrado) | 3 kV 200 A (integrado) | 3 kV 600 A (integrado) — expansível para 1.000 A | 3 kV 600 A (integrado) — expansível para 1.000 A

Áreas de aplicação
Testes elétricos de alto rendimento em etapas de produção: KGD, discretos encapsulados e módulos; adequado para wafer probe, teste em tira de discretos e teste final na fabricação de dispositivos de potência.

Especificações técnicas

• Plataforma: M2 modular e expansível, otimizada para testes elétricos ultra-rápidos.
• Rendimento: UPH até mais de 15.000 dispositivos por hora (abordagem index-parallel).
• Tecnologias suportadas: SiC, GaN, Si.
• Tipos de teste: paramétricos estáticos, testes paramétricos DC, comutação AC dinâmica, die-attach térmico (deltaVSD), resistência e capacitância de gate, testes de avalanche e curto-circuito, testes UIS/body-diode.
• Capacidade DC paramétrica: integrado até 3 kV; 200 A padrão em algumas variantes; variantes Pulsar: 3 kV 600 A integrado, expansível para 1.000 A.
• Comutação AC dinâmica: Quasar (DS5) até 2 kA; Pulsar (DS6) até 7,5 kA em curto-circuito.
• Teste de die-attach térmico: M1 FB deltaVSD 1 kW, até 300 V / 100 A (disponível em variantes Pro / Pulsar Pro).
• UIS avalanche: 2,3 kV, 200 A carga indutiva não limitada (variantes Pro / Pulsar Pro).
• Sites concorrentes: de 4 a 6 conforme variante; opções RG, Quasar/Pulsar AC, FB, UIS e estações QA configuráveis.
• Integração: projetado para operação 24/7, robusto e preciso; interfaces para handlers rotativos e transportadores.