Resina para semicondutores GKR

de alta resistênciafotossensívelde alta estabilidade térmica

Visão geral
Fotorresiste de tom positivo para KrF que abrange uma ampla gama de aplicações de patterning em semicondutores. A série GKR oferece múltiplos graus, desde filmes de alta espessura até formulações de alta resolução, para atender a diferentes requisitos de processo.

Linha de produtos
Famílias da série GKR:

• Série GKR-46xx/32xx (para implant)
• Série GKR-53xx (para C/H)
• Série GKR-63xx (para L/S)

Produtos relacionados

• EUV (13,5 nm) — Materiais EUV para imageamento em tom negativo
• NIL (Nanoimprint Lithography) — Materiais NIL para processos de litografia de semicondutores
• ArF (193 nm) — Materiais para imageamento positivo em seco e por imersão, e imageamento em tom negativo (NTI)
• i-Line, g-Line e Broadband — Fotorresistes sensíveis ao UV médio cobrindo resoluções de <0,30 µm a >1,0 µm
• Negativo (à base de poliisopreno) — Séries de sistemas de resist em tom negativo à base de poliisopreno
• e-Beam — Fotorresistes positivos e negativos para diversas aplicações de e‑beam

Características / Especificações técnicas

• Comprimento de onda: 248 nm (KrF)
• Tom: Positivo
• Família principal de produtos: série GKR
• Variantes disponíveis: GKR-46xx/32xx (implant), GKR-53xx (C/H), GKR-63xx (L/S)
• A linha inclui filmes de alta espessura e formulações de alta resolução para atender a variados requisitos de processo