Fotodiodo de infravermelho S16008-33
de silício

fotodiodo de infravermelho
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Características

Especificações
de silício, de infravermelho

Descrição

Fotodiodo para fotometria geral na faixa visível a infravermelha próxima O S16008-33 é um fotodiodo tipo Si de montagem superficial com alta sensibilidade no alcance visível a infravermelho próximo. Isto proporciona maior sensibilidade do que a anterior série S2387. Características -Alta sensibilidade no alcance visível a infravermelho próximo -Baixa corrente escura -Linearidade superior -Compatível com o reflow de solda sem chumbo Especificações Área fotossensível : 2,4 × 2,4 mm Número de elementos : 1 Embalagem : Epóxi vidro Categoria do pacote : Tipo de montagem de superfície Refrigeração : Não-refrigerada Faixa de resposta espectral : 380 a 1100 nm Comprimento de onda de máxima sensibilidade (digite) : 960 nm Fotosensibilidade (digite) : 0.64 A/W Corrente escura (máx.) : 5 pA Tempo de subida (digite) : 1.5 μs Capacidade do terminal (digite) : 700 pF Potência equivalente a ruído (digite) : 9,0 × 10-16 W/Hz1/2 Condição de medição : Ta=25 ℃, Typ., Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=10 V, Tempo de subida: VR=0 V, RL=1 kΩ, 10 a 90%, Capacitância do terminal: VR=0 V, f=10 kHz, Potência equivalente a ruído: VR=0 V, λ=λp, salvo indicação em contrário

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Catálogos

* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.