Fotodiodo Si para fotometria visível a infravermelho
O S15137 é um fotodiodo Si PIN desenvolvido para lasers YAG (1,06 µm). A fotossensibilidade a 1,06 µm é de 0,52 A/W (digite.), que é cerca de 1,5 vezes maior que a dos produtos anteriores. A estrutura PIN permite resposta a alta velocidade e baixa capacitância. A área fotossensível é tão grande quanto φ5 mm, facilitando o alinhamento dos eixos ópticos.
Características
-Alta sensibilidade na região infravermelha: 0,52 A/W (λ=1,06 µm)
-Resposta em alta velocidade: tr=12,5 ns (VR=100 V)
-Baixa capacitância: Ct=10 pF (VR=100 V)
-Grande área fotossensível: φ5 mm
-Alta confiabilidade: Pacote metálico TO-8
Especificações
Área fotossensível : φ5.0 mm
Número de elementos : 1
Embalagem : Metal
Categoria do pacote : TO-8
Refrigeração : Não-refrigerada
Tensão reversa (máx.) : 150 V
Faixa de resposta espectral : 360 a 1120 nm
Comprimento de onda de máxima sensibilidade (digite) : 1000 nm
Fotosensibilidade (digite) : 0.52 A/W
Corrente escura (máx.) : 10000 pA
Tempo de subida (digite) : 0.0125 μs
Capacidade do terminal (digite) : 10 pF
Condição de medição : Ta=25 ℃, Typ., Photosensitivity: λ=1060 nm, Dark current: VR=100 V, Tempo de subida: VR=100 V, RL=50 Ω, λ=1060 nm, 10 ~ 90%, Capacitância do terminal: VR=100 V, f=10 kHz, salvo indicação em contrário
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