Fotodiodo InGaAs G12183-210KA-03
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fotodiodo InGaAs
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Características

Especificações
InGaAs
Montagem
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Descrição

Tipo de comprimento de onda longo (comprimento de onda cortado: 2,55 μm) Características - Comprimento de onda de corte: 2,55 μm - Refrigerado em TE em duas fases - Baixo custo - Área fotossensível: φ1 mm - Baixo ruído - Alta sensibilidade - Alta confiabilidade - Resposta a alta velocidade - Alta sensibilidade ao comprimento de onda curta: 0,4 A/W (λ=900 nm) Especificações Área fotossensível : φ1.0 mm Número de elementos : 1 Embalagem : Metal Categoria do pacote : TO-66 Refrigeração : Refrigerado em TE de duas fases Faixa de resposta espectral : 0,9 a 2,55 μm Comprimento de onda de sensibilidade ao pico (digite) : 2.3 μm Fotosensibilidade (digite) : 1.3 A/W Corrente escura (máx.) : 100 nA Frequência de corte (tip.) : 4 MHz Capacidade do terminal (digite) : 500 pF Potência equivalente a ruído (digite) : 2×10-13 W/Hz1/2 Condição de medição : Tipo. Tc=-20 ℃, salvo indicação em contrário, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=10 mV, Frequência de corte: VR=0 V, RL=50 Ω, Capacitância do terminal: VR=0 V, f=1 MHz

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Feiras de negócios

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ACHEMA 2024
ACHEMA 2024

10-14 jun 2024 Frankfurt am Main (Alemanha) Hall 11.1 - Stand F62

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    * Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.