Fotodiodo de silício S14645-05
LIDAR

fotodiodo de silício
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Características

Especificações
de silício, LIDAR

Descrição

Alta velocidade, Si APD compacto para LiDAR (banda de 900 nm) com operação de baixa polarização Este Si APD é adequado para detectar a luz na banda de 900 nm, que é cada vez mais utilizada em ópticas rangefinders. Com a mesma forma que o produto anterior (série S12926), este Si APD apresenta menor variação de tensão de ruptura, corrente escura reduzida e temperaturas de armazenamento e operação expandidas. Características - Embalagem pequena: 3,1 × 1,8 × 1,0t mm - Comprimento de onda de pico de sensibilidade: 840 nm (M=100) - Operação de baixo viés: Tensão de ruptura=195 V no máximo. - Resposta a alta velocidade: Frequência de corte=600 MHz tip. (λ=900 nm, M=100) - Redução da variação da tensão de ruptura: 175 ± 20 V Especificações Tipo : Para LiDAR (faixa de 900 nm, operação de baixo viés) Área fotossensível : φ0.5 mm Embalagem : Plástico Categoria do pacote : Tipo de montagem à superfície Comprimento de onda de máxima sensibilidade (digite) : 840 nm Faixa de resposta espectral : 400 a 1100 nm Fotosensibilidade (digite) : 0.5 A/W Corrente escura (máx.) : 0.8 nA Frequência de corte (tip.) : 600 MHz Capacidade do terminal (digite) : 1 pF Tensão de ruptura (digitar) : 175 V Coeficiente de temperatura da tensão de ruptura (tip.) : 1.1 V/℃ Ganho (digite) : 100 Condição de medição : Tipo. Ta=25 ℃, salvo indicação em contrário, Fotosensibilidade: λ=900 nm, M=1

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ACHEMA 2024
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10-14 jun 2024 Frankfurt am Main (Alemanha) Hall 11.1 - Stand F62

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