Fotodiodo de silício S16008
de infravermelho

Fotodiodo de silício - S16008  - HAMAMATSU - de infravermelho
Fotodiodo de silício - S16008  - HAMAMATSU - de infravermelho
Fotodiodo de silício - S16008  - HAMAMATSU - de infravermelho - imagem - 2
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Características

Especificações
de silício, de infravermelho

Descrição

A série S16008 é um fotodíodo Si de montagem em superfície com elevada sensibilidade na região do visível ao infravermelho próximo. Isto proporciona uma maior sensibilidade do que a anterior série S2387. Caraterísticas - Elevada sensibilidade na região do visível ao infravermelho próximo - Baixa corrente de escuridão - Linearidade superior - Compatível com refluxo de solda sem chumbo Especificações Área fotossensível - 5,8 × 5,8 mm Encapsulamento - Epóxi de vidro Categoria da embalagem - Tipo de montagem em superfície Arrefecimento - Não arrefecido Gama de resposta espetral - 380 a 1100 nm Comprimento de onda de sensibilidade máxima (típico) - 960 nm Fotossensibilidade (tip.) - 0,64 A/W Corrente de escuridão (máx.) - 50 pA Tempo de subida (típico) - 9,0 μs Capacitância terminal (típico) - 4000 pF Potência equivalente ao ruído (típico) - 2,0×10-15 W/Hz1/2 Condição de medição - Ta = 25 ℃, típico, fotossensibilidade: λ = λp, corrente escura: VR=10 mV, Tempo de subida: VR=0 V, RL=1 kΩ, 10 a 90%, Capacitância terminal: VR=0 V, f=10 kHz, Potência equivalente ao ruído: VR=0 V, λ=λp, salvo indicação em contrário

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