Laser de femtossegundo HPF-50-IR

de estado sólidode marcaçãode corte

Recursos da máquina

• Pulso femtossegundo
• Alta energia por pulso e potência de pico
• Qualidade de feixe próxima ao limite de difração
• Alta estabilidade e confiabilidade

Aplicações
Este laser adota tecnologia avançada de amplificação de pulso chirpado (CPA) para fornecer saída femtossegundo próxima ao limite de difração. É amplamente aplicado nas indústrias de semicondutores e eletrônicos de consumo para microuso preciso e desempenho de processo consistente.

• Corte, furação e riscado (vidro, silício, cerâmica, placas de circuito flexíveis)
• Padrões em filmes finos (metais, filmes finos)
• Marcação (vidro, silício, cerâmica, metais, plásticos)

Ficha técnica
Modo de operação: Pulse
Potência média (W): 50 W @ 600 kHz (alternativa: 20 W @ 100 kHz)
Comprimento de onda central (nm): 1030
Largura de linha (nm): <3 (3 dB)
Frequência de repetição (kHz): 50-2000 (ajustável)
Duração do pulso (fs): 600-30000 (personalizável)
Energia máxima por pulso único (µJ): 200
Faixa de ajuste de potência (%): 0-100
Tempo de resposta (µs): <100
Qualidade do feixe (M2): ≤1.3
Estabilidade de potência (%): ≤2 (24 h)
Tamanho do ponto (mm): 2.5±0.3 (1/e2)
Elipticidade do ponto (%): >90 (typ. 93%)
Deslocamento do feixe (mm): <1.0
Ângulo de divergência do feixe (mrad): <0.5

Características / especificações técnicas

• Modo de operação: Pulse
• Potência média: 50 W @ 600 kHz (alternativa: 20 W @ 100 kHz)
• Comprimento de onda central: 1030 nm
• Largura de linha: <3 nm (3 dB)
• Frequência de repetição: 50-2000 kHz (ajustável)
• Duração do pulso: 600-30000 fs (personalizável)
• Energia máxima por pulso único: 200 µJ
• Faixa de ajuste de potência: 0-100%
• Tempo de resposta: <100 µs
• Qualidade do feixe (M2): ≤1.3
• Estabilidade de potência: ≤2% (24 h)
• Tamanho do ponto: 2.5±0.3 mm (1/e2)
• Elipticidade do ponto: >90% (typ. 93%)
• Deslocamento do feixe: <1.0 mm
• Ângulo de divergência do feixe: <0.5 mrad