Módulo de memória DRAM H5WRAGESM8W-N8L

rápido

DRAM de última geração para novos horizontes de memória de ponta O primeiro HBM3 do mundo desenvolvido em outubro de 2021 Em apenas 15 meses desde o lançamento da produção em massa da HBM2E, a SK hynix solidificou a sua liderança em DRAM de alta velocidade ao desenvolver uma HBM3, a mais recente memória de alta largura de banda para tecnologias de ponta em centros de dados, supercomputadores e IA. Dissipação térmica avançada O HBM3 funciona a temperaturas mais baixas do que o HBM2E no mesmo nível de tensão operacional, aumentando a estabilidade do ambiente do sistema do servidor. Em temperaturas operacionais equivalentes, o SK hynix HBM3 pode suportar 12-die stacks ou 1,5x a capacidade do HBM2E, e velocidades de E/S de 6Gbps para uma largura de banda 1,8x maior. Com uma maior capacidade de refrigeração para as mesmas condições de funcionamento, a SK hynix cumpre a sua iniciativa Memory ForEST*. Aumento de desempenho O SK hynix HBM3, com uma capacidade 1,5x superior à do HBM2E a partir de 12 matrizes DRAM empilhadas à mesma altura total do pacote, é adequado para aplicações de capacidade intensiva, como IA e HPC. Um único cubo pode render até 819 GB/s de largura de banda, enquanto um SiP (System-in-Package) com seis chips HBM no mesmo silício pode atingir até 4,8 TB/s para atender às demandas de exascale. ECC no disco O SK hynix HBM3 também possui um ECC (Error Correcting Code) robusto e personalizado, que usa bits de paridade pré-alocados para verificar e corrigir erros nos dados recebidos. O circuito incorporado permite que a DRAM autocorrija erros dentro das células, aumentando significativamente a confiabilidade do dispositivo.