Fotodiodo InGaAs IAG Series
de avalanchePIN

Fotodiodo InGaAs - IAG Series  - LASER COMPONENTS - de avalanche / PIN
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Fotodiodo InGaAs - IAG Series  - LASER COMPONENTS - de avalanche / PIN - imagem - 2
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Características

Especificações
InGaAs, de avalanche
Montagem
PIN

Descrição

Os fotodíodos de avalanche InGaAs são utilizados para detetar luz na gama espetral de 1100 nm a 1700 nm. Apresentam um ruído significativamente mais baixo do que os díodos de germânio. APDs InGaAs 1100 - 1700 nm Estes fotodíodos de avalanche InGaAs detectam na gama espetral de 1100 nm a 1700 nm. Os APDs da série IAG apresentam valores de limiar de dano particularmente elevados. Ambos são embalados num invólucro TO-46. A série APD InGaAs Os APDs de InGaAs são adequados para a gama espetral de 1100 nm a 1700 nm. Em comparação com os APDs de germânio, apresentam uma relação de ruído significativamente melhorada, uma maior largura de banda em relação à área ativa e vantagens resultantes do aumento da sensibilidade até 1700 nm. Todos os APDs num invólucro TO-46 estão disponíveis com acoplamento de fibra numa base opcional. Série IAG A série IAG apresenta um limiar de dano elevado de >200 kW/cm². A capacidade de resposta do detetor atinge o pico a 1550 nm e a área ativa está disponível em diâmetros de 80 µm, 200 µm e 350 µm.

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* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.