Amplificador RF HMC8412 series

micro-ondasde potênciade tensão

Baixo nível de ruído: 1.4 dB típico Fornecimento positivo único (auto-suficiente) Alto ganho: ≤15.5 dB típico OIP3 elevado: ≤33 dBm típico Compatível com RoHS, 2 mm × 2 mm, LFCSP de 6 derivações HMC8412TCPZ-EP Suporta aplicações de defesa e aeroespacial (norma AQEC) Baixe a ficha técnica do HMC8412TCPZ-EP (pdf) Faixa de temperatura militar (-55°C a +125°C) Linha de base de produção controlada 1 local de montagem/teste 1 local de fabricação Notificação de modificação de produto Dados de qualificação disponíveis a pedido V62/21602 Número do sorteio DSCC O HMC8412 é um arsenieto de gálio (GaAs), circuito integrado de microondas monolítico (MMIC), transistor pseudomórfico de alta mobilidade eletrônica (pHEMT), amplificador de banda larga de baixo ruído que opera de 0,4 GHz a 11 GHz. O HMC8412 fornece um ganho típico de 15,5 dB, um valor de ruído típico de 1,4 dB e uma intercepção típica de terceira ordem de saída (OIP3) de ≤33 dBm, requerendo apenas 60 mA de uma tensão de alimentação de drenagem de 5 V. A potência de saída saturada (PSAT) de ≤20.5 dBm típico permite que o amplificador de baixo ruído (LNA) funcione como um driver oscilador local (LO) para muitos dispositivos analógicos, Inc., balanceados, em fase e quadratura (I/Q) ou misturadores de rejeição de imagem. O HMC8412 também apresenta entradas e saídas que são combinadas internamente a 50 Ω, tornando o dispositivo ideal para aplicações de rádio de microondas de alta capacidade baseadas em tecnologia de montagem em superfície (SMT). O HMC8412 está alojado em um LFCSP de 6 derivações, 2 mm × 2 mm, compatível com a RoHS. Instrumentação de teste Telecomunicações Radar e comunicação militar Guerra electrónica Aeroespacial