Matriz de fotodiodos XSJ-10-MA-100-KB2

Descrição Este InGaAs/InP 1X2 Array Monitor PIN photodiode chip com grande área activa, que é estrutura planar com ânodo e cátodo no topo, superfície incidente na parte de trás. Com o tamanho de área activa inferior-iluminada é Φ100μm, e alta reactividade na região de comprimento de onda de 980nm a 1620nm. Aplicação principalmente na monitorização da potência óptica. Características Estrutura planar no substrato do SI InP. De baixo-iluminado: Φ100μm área activa. matriz 1X2, passo do molde: 500μm. Alta responsabilidade. Baixa corrente escura. Ânodo e cátodo no topo, ligação do fio na frente. -40℃ a 85℃ gama de operações. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação conforme especificado pela Telcordia -GR-468-CORE. 100% de testes e inspecção. Está disponível uma dimensão de chip personalizada. Conformidade com RoHS2.0 (2011/65/EU). Aplicações Monitorização da potência óptica