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Fotodiodo InGaAs XSJ-10-DA4-70-KH3
PIN

fotodiodo InGaAs
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Características

Especificações
InGaAs
Montagem
PIN

Descrição

Descrição Este chip de fotodíodo 3GHz é a estrutura planar InGaAs/InP PIN e o chip PD digital/analógico de alta resposta 3GHz de alta capacidade de resposta, tamanho da área activa é Φ70μm. Estas características são corrente escura baixa, baixa capacitância, alta responsividade, obtendo assim menor distorção de segunda ordem de inter-modulação (IMD2) e distorção de tripla batida composta (CTB), e excelente fiabilidade. Aplicação em receptores ópticos de 2,5Gbps e abaixo do receptor óptico, EPON ONU e receptor óptico analógico CATV. Características Φ70μm área activa. Elevada capacidade de resposta e linearidade. Baixa corrente escura. Largura de banda: ≥3GHz Distorção inferior de segunda ordem de inter-modulação (IMD2) e distorção de tripla batida composta (CTB) Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE. 100% de testes e inspecção. Aplicações FTTH, CATV e sistema de transmissão analógico. Receptores de fibra óptica monomodo ou multimodo para Gigabit Ethernet, Fiber Channel e SONET/SDH. Instrumentação.

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