Visão geral do produtoA GC-KM202 foi desenvolvida para várias etapas do processamento de barras de silício na fabricação de wafers, incluindo quadratura, chanframento, retificação e polimento. As barras de silício são carregadas e fixadas em uma única operação. Uma mesa rotativa de alta precisão garante posicionamento exato entre as estações para completar todas as etapas com perda mínima de material; margem de quadratura por aresta ≤0,2 mm.
Aplicações- Quadratura de barras de silício
- Chanframento para facilitar a manipulação e processos subsequentes
- Retificação para preparação dimensional e superficial
- Polimento para atingir a rugosidade superficial requerida
Parâmetros do produto- Margem de quadratura por aresta — ≤0,2 mm
- Eficiência de processamento — 29 min (exemplo: barra em arco M10 de 830 mm de comprimento)
- Tolerância dimensional — ±0,04 mm
- Rugosidade de superfície — Ra ≤ 0,1 μm
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Características / Especificações técnicas- Modelo: GC-KM202
- Cobertura de processo integrada: quadratura, chanframento, retificação, polimento
- Carregamento e fixação em um único passo das barras de silício
- Mesa rotativa de alta precisão para posicionamento exato entre várias estações
- Margem de quadratura por aresta ≤0,2 mm para minimizar perda de silício
- Exemplo de eficiência: 29 minutos para uma barra em arco M10 de 830 mm
- Tolerância dimensional: ±0,04 mm
- Rugosidade de superfície: Ra ≤ 0,1 μm