Estufa de difusão DOA-420
verticalpara altas temperaturasautomática

estufa de difusão
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Características

Função
de difusão
Configuração
vertical
Outras características
para altas temperaturas, automático, horizontal
Temperatura máxima

MÍN: 400 °C
(752 °F)

MÁX: 1.100 °C
(2.012 °F)

Descrição

O equipamento é usado principalmente para Doping e formar junções Pn em pastilhas de silício no processo de fabricação de células solares de silício cristalino. Preparar barco de quartzo & wafers→ Inserir wafers→ Carregamento wafers→ Escolher receita → Barco loading→ tubo Vacuuming→ Temperatura rising→ Oxigénio in→/BCL3 inlet→ Push in→ DOA treatment→ Barco inlet→BBr3 Cooling→ Testing→ Descarga de wafer - Difusão de boro a alta temperatura. - BBr3、BCL3. - Tecnologia patenteada. - Estrutura única da porta do forno com duas camadas. - Tecnologia patenteada para sistema de tratamento de gases de escape. - Mecanismo de empurrar barcos com módulo integral de alta velocidade. - Controlo automático inteligente. - Software MES com direito de propriedade intelectual independente. - Funções abrangentes de proteção de alarme de segurança, como prevenção de sobretemperatura, termopar quebrado e colisão de barcos. - Compatível com a solução S.C smart de fábrica.

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Feiras de negócios

Próximas feiras onde poderá encontrar este fornecedor

Intersolar 2024
Intersolar 2024

18-21 jun 2024 Munich (Alemanha) Hall Vide - Stand A2.137

  • Mais informações
    * Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.