Sensor fotoelétrico difuso EP Series

retrorreflexivotipo barreiraretangular

O sensor fotoelétrico da série EP, com certificação CE, tamanho comum padrão, pode substituir a marca internacional a bom preço; Adoção de microchip importado, tempo de resposta rápido. Tamanho padrão: Tamanho padrão universal, que substitui muitas marcas chinesas e internacionais; Rosca metálica M3 incorporada para reforçar o sensor; O design do chip importado é adotado, velocidade de resposta mais rápida; Anti-interferência: Algoritmo optimizado de prevenção de interferências, maior capacidade de anti-luz e interferência electromagnética; Adoptando um design anti-interferência, podem ser instalados até dois sensores entre si; Equipado com proteção de ligação inversa de saída para evitar falhas na cablagem do sensor. A sensibilidade pode ser ajustada: Tipo de três fios, sensibilidade ajustável, comutável NO/NC; O ajuste do eixo ótico é simples, e o desvio entre o eixo ótico e o eixo mecânico é controlado dentro de ±2,5°. Parâmetros: - Distância de deteção : Thru-beam: 2m, 6m, 20m Retro-reflexão: 3m 100mm] Reflexão difusa: 100mm,,600mm,300mm,20-200mm - Objeto de deteção: Feixe passante: > φ 12mm objeto opaco Retro-reflexão: objeto >φ75mm Reflexão difusa: objeto opaco, semi-transparente, transparente - Tempo de resposta: <1ms - Indicar ângulo : 2~10° - Tensão de alimentação : DC 12 ~24V - Consumo de corrente : Feixe passante: <35mA - Retro-reflexão: <10mA; Reflexão difusa: <25mA - Sinal de saída : Transistor NPN: corrente máxima 80mA; tensão externa 30V DC (saída-0V); tensão residual <2v (quando corrente 80mA), <1v (quando corrente 16mA); - Transístor PNP: corrente máxima 80mA; tensão externa 30V DC (saída-+V); tensão residual <2v (quando corrente 80mA), <1v (quando corrente 16mA);