Gate driver MOSFET 2CG-B
IGBT

Gate driver MOSFET - 2CG-B  - TAMURA CORPORATION OF CHINA LIMITED - IGBT
Gate driver MOSFET - 2CG-B  - TAMURA CORPORATION OF CHINA LIMITED - IGBT
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Características

Especificações
IGBT, MOSFET

Descrição

O módulo de acionamento de porta (núcleo de acionamento) é um produto que integra uma fonte de alimentação DC-DC e um circuito de acionamento. Suporta módulos de potência até 2500V. Tem uma baixa capacidade de dispersão entre o primário e o secundário, o que o torna ideal para acionar módulos de potência SiC. Caraterísticas do produto Baixa capacitância de acoplamento: 12pF/ Redução de ruído de modo comum Proteção SC: Tempo de máscara de curto-circuito (tsc) / Ajustável até 1us. Adequado para módulos de potência SiC Dupla proteção: DESAT, desligamento suave e pinça Miller Elevada potência de saída: Potência de saída adequada para acionamento de alta frequência (4W/1ch) Aplicações principais Geração de energia solar Geração de energia eólica Hidrogénio Transmissão e distribuição de energia Máquinas de soldadura Armazenamento de energia (ESS) Centros de dados Inversores de controlo de motores Robótica Elevadores Veículos comerciais /de construção /agrícolas Sistemas de carregamento de veículos eléctricos A próxima geração de gate driver surge com alta tensão de isolamento (suporte para módulo de 1700V) e baixo perfil, além da convencional baixa capacidade de stray.

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Catálogos

* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.