Placa cerâmica 68061-00001-1628

de carbureto de silíciopara altas temperaturas

Descrição do produto
Esta placa de suporte é fabricada em carbeto de silício (SiC) ligado por reação e de alta pureza, proporcionando desempenho de carga estável e duradouro em fornos de alta temperatura. Superfície lisa, tolerâncias dimensionais rigorosas, adequada para exposição contínua a altas temperaturas até 1650°C (resistência operacional ≥1300°C).

Principais características

• Capacidade para altas temperaturas: resistência operacional ≥1300°C; uso contínuo em ar até 1650°C
• Material: carbeto de silício ligado por reação (SiC) de alta pureza
• Dimensões precisas: 400 × 350 × 5 mm com tolerâncias ±0,1 mm
• Baixa porosidade e alta densidade: porosidade aparente ≤0,2% para melhor capacidade de carga e menor contaminação
• Desempenho elétrico e térmico: alta resistividade e condutividade térmica 120–150 W/(m·K)

Aplicações

• Sinterização de componentes SiC de alta pureza
• Processamento em forno industrial de cerâmica e pós metálicos
• Processamento de materiais eletrônicos de alta temperatura
• Processamento de materiais refratários e outras operações de carga a alta temperatura

Informações do produto
Fórmula: SiC
Forma: Placa
Material: Carbeto de silício ligado por reação (SiC de alta pureza)
N.º CAS: 409-21-2
Produto: Placa suporte (Setter Plate)
SKU: 68061-00001-1628

Especificações / Tolerâncias
Comprimento: 400 mm ±0,1 mm
Largura: 350 mm ±0,1 mm
Espessura: 5 mm ±0,1 mm

Propriedades elétricas
Resistividade elétrica (20°C) Ω·cm: 5e6

Propriedades físicas
Porosidade aparente (%): ≤ 0,2

Propriedades térmicas
Condutividade térmica (20°C) W/(m·K): 120 - 150
Coeficiente de expansão térmica (1×10⁻⁶ m/K): 4
Temperatura máxima de uso no ar (°C): 1650

Propriedades mecânicas
Dureza Rockwell (HRA): 92 - 94
Módulo de elasticidade (GPa): 400

Especificações técnicas

• Nome comercial: Silicon Carbide Firing Support Setter Plate
• Dimensões: 400 × 350 × 5 mm
• Tolerâncias: ±0,1 mm em comprimento, largura e espessura
• Material: Carbeto de silício ligado por reação (SiC), alta pureza
• N.º CAS: 409-21-2
• Peso típico (unidade): 2,48 kg