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Corrente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensão: 4.500, 5.200 V
... uma família de transístores bipolares de porta isolada de alta potência (IGBT) e díodos em uma carcaça modular avançada que garante uma pressão de chip uniforme em pilhas de múltiplos dispositivos. Embora ...
Corrente: 25 mA
Tensão: 13 V
... CARACTERÍSTICAS - Fonte de alimentação DC-DC isolada incorporada; Potência única topologia de acionamento de suprimentos - Alta tensão de isolamento de 3750VAC - Frequência do sinal de entrada até 20kHz - Circuito de falha embutido com ...
Tensão: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Concebidos utilizando a tecnologia proprietária XPT™ de camada fina e o processo IGBT de última geração, estes dispositivos apresentam qualidades como resistência térmica reduzida, baixa corrente de cauda, baixa perda ...
Corrente: 600 A
Tensão: 1.200 V
... Os módulos IGBT da Littelfuse oferecem alta eficiência e velocidades de comutação rápidas da moderna tecnologia IGBT num formato robusto e flexível. Utilizados para aplicações de controlo de potência, ...
Corrente: 28 A
Tensão: 650 V
... O IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 de comutação rígida numa pequena embalagem TO-220 destina-se a aplicações de comutação entre 10 kHz e 40 kHz para proporcionar uma elevada densidade de corrente, elevada eficiência, ciclos de colocação ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 150 A - 3.600 A
Tensão: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
Os módulos de potência IGBT da Hitachi Energy estão disponíveis em versões de 1.700 a 6.500 volts como módulos IGBT de chopper simples, duplo/fásico e duplo diodo. Os módulos HiPak IGBT ...
Corrente: 5, 20, 30, 50 A
Tensão: 600 V
... O IGBT discreto da série BID da Bourns® combina a tecnologia de uma porta MOS e de um transístor bipolar, criando o componente certo para aplicações de alta tensão e alta corrente. Este dispositivo utiliza ...
... Os fotoacopladores para automóveis (saída de transístor, saída IC) estão disponíveis em pequenas embalagens com elevada resistência dieléctrica (3,75KV) e funcionamento a altas temperaturas até 135 °C. Isto facilita a ...
Corrente: 50 A
Tensão: 650 V
... A série RGWxx65C é um IGBT de 650V com um díodo de barreira SiC schottky incorporado, o que reduz a perda de comutação de ligação. Este é um produto compatível com AEC-Q101. Pode ser utilizado com confiança mesmo em ambientes ...
ROHM Semiconductor
... permitem a combinação de chips de silício optimizados e incorporam 3 blocos de inversores principais: estágio de potência (IGBTs resistentes a curto-circuito e díodos de roda livre), rede de condução (resistências de ...
STMicroelectronics
SEMIKRON
Corrente: 10 A - 1.600 A
Tensão: 600 V - 1.700 V
... Greegoo oferece módulos IGBT (transístor bipolar de porta isolada) em diferentes topologias, classificações de corrente e tensão. A partir de 15A a 1600A em classes de tensão de 600V a 1700V, os módulos ...
Corrente: 10, 25 A
Tensão: 1.200 V
... Funcionalidades -Tecnologia Trench + Filed Stop IGBT Capacidade de curto-circuito de 10ps -Versât) com coeficiente de temperatura positivo -Caso de baixa indutância -Recuperação reversa rápida e suave antiparalela FWD -Base ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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