内部整合、AC結合、40W、GaNパワーアンプ
ドレイン・バイアス・インダクタ内蔵
小信号利得: 40.5 dB(代表値
電力利得:25.5 dB(代表値)(PIN = 21 dBm
PAE:39%(代表値
14リード・セラミック・リード・チップ・キャリア[LDCC]、銅モリブデン・ベース
その他の詳細
ADPA1113は窒化ガリウム(GaN)、広帯域パワー・アンプで、2.3GHz~5.7GHzの範囲で46.5dBm(44.7W)、電力付加効率(PAE)39.0%を実現します。フルバンド動作を実現するために外部マッチングやACカップリングは不要。さらに、アンプにバイアスをかけるための外部インダクターも不要です。
ADPA1113は、軍事用ジャマーやレーダーなどの連続波アプリケーションに最適です。
アプリケーション
軍事用ジャマー
商用および軍用レーダー
テストおよび測定装置
ADPA1113-EVALZ は、アルミニウム・ヒートスプレッダに取り付けられた 10 mil 厚のロジャース 4350B 銅クラッドから製造された 2 層プリント回路基板(PCB)です。ヒートスプレッダは ADPA1113 にサーマルリリーフを提供し、PCB にメカニカルサポートを提供します。ヒートスプレッダの取り付け穴により、より大きなヒートシンクに取り付けて熱管理を改善することができます。RFIN と RFOUT ポートには 2.92 mm メス同軸コネクタがあり、それぞれの RF トレースは 50 Ω の特性インピーダンスを持ちます。ADPA1113-EVALZ には、ADPA1113 の全動作温度範囲での使用に適し た部品が内蔵されています。
RF トレースは 50 Ω 接地コプレーナー導波管で、パッケージのグランド・リードは直接グランド・プレーンに接続されています。
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