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FETトランジスタ ATF-511P8
RFガリウムヒ素 GaAs製静音

FETトランジスタ - ATF-511P8 - Broadcom - RF / ガリウムヒ素 GaAs製 / 静音
FETトランジスタ - ATF-511P8 - Broadcom - RF / ガリウムヒ素 GaAs製 / 静音
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特徴

タイプ
FET
その他の特徴
RF, ガリウムヒ素 GaAs製, 静音

詳細

ATF-511P8は8鉛LPCC （JEDEC DFP-N）のパッケージで単一電圧高い直線性、低雑音のE-pHEMT収容したである。装置は周波数範囲6つのGHzのに50MHzの例外的なRFの性能、出力効率および製品の一致性を表わす。

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ELECTRONICA 2026
ELECTRONICA 2026

10-13 11月 2026 Munich (ドイツ) ホール C2 - ブース 645

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