高利得アンプ

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RFアンプ
RFアンプ
PE15A series

出力: 1 W - 2 W

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Pasternack Enterprises, Inc.
リニアアンプ
リニアアンプ
MGA-31816

出力: 0 W
周波: 2 GHz - 4 GHz

... BroadcomのMGA-31816は、標準のQFN 3x3 16ピンプラスチックパッケージに収められた高リニアリティドライバMMICアンプです。 MGA-31816は、1.5GHzから4GHzの周波数範囲で動作する50オームのワイヤレスインフラストラクチャアプリケーションに特に最適です。 ...

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Broadcom
RFアンプ
RFアンプ
HMC8412 series

電圧: 5 V
電流: 100 mA
周波: 0.4 GHz - 11 GHz

低ノイズ指数:1.4dB(代表値) 正側の単電源(自己バイアス) 高ゲイン:≤15.5dB(代表値) 高OIP3:≤33dBm(代表値) RoHS準拠、2mm × 2mm、6ピンLFCSP HMC8412TCPZ-EPは、防衛および航空宇宙アプリケーションに対応します(AQEC規格に準拠) HMC8412TCPZ-EPデータシート (pdf)をダウンロード可能 ミリタリ温度範囲(−55°C~+125°C) 品質管理された製造ベースライン アセンブリ/テストは同一工場 製造工場を1箇所に限定 製品変更通知 要求に応じて入手可能な品質評価データ DSCC図面番号:V62/21602 HMC8412は、ガリウム・ヒ素(GaAs)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)低ノイズ広帯域アンプで、動作範囲は0.4GHz~11GHzです。 HMC8412は、それぞれ代表値で15.5dBのゲイン、1.4dBのノイズ指数、≤33dBmの出力3次インターセプト(OIP3)を提供し、5Vドレイン電源電圧からわずか60mAを必要とします。この低ノイズ・アンプ(LNA)は、飽和出力電力(PSAT)の代表値が≤20.5dBmであるため、アナログ・デバイセズの多くのバランスド・ミキサー、同相/直交(I/Q)ミキサー、イメージ除去ミキサー用の局部発振器(LO)ドライバとして機能することができます。 HMC8412は、内部で50Ωに整合した入出力も備えているため、表面実装技術(SMT)ベースの大容量マイクロ波無線のアプリケーションに最適です。 HMC8412はRoHS準拠の2mm ...

RFアンプ
RFアンプ
CMX901

電圧: 2.5 V - 6 V
出力: 2, 3 W
周波: 915, 160, 435 MHz

... RFパワーアンプ(RF PA)は、RFトランスミッターのラインアップの中でも、サイズ、効率、総合的な性能が重要な要素となります。 CMX901は、3段の高利得・高効率RFパワーアンプです。本製品は、130MHzから950MHzのVHFおよびUHF周波数帯での使用に最適です。 初段、2段目はそれぞれA級、AB級モードで動作し、3段目はC級モードで動作することで最大の効率を実現しています。入力と出力の整合回路は外付け部品で実装されているため、目的の動作周波数で最大の出力と効率が得られるように調整することができます。 CMX901は、5mm×5mmの低熱抵抗28ピンWQFNパッケージで提供されます。 広い動作周波数範囲 ...

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CML Microcircuits
パワーアンプ
パワーアンプ
AFIC901N

電圧: 7.5 V
周波: 2 MHz - 1,000 MHz

... AFIC901Nは、アンプ設計者に高い柔軟性を提供するために設計された2段高利得アンプです。このデバイスは段間でも比類がなく、1.8~1000MHzの範囲のあらゆる周波数に対して性能を最適化することができます。このデバイスの高利得、堅牢性、広帯域性能は、幅広い産業、医療、通信アプリケーションにおけるプリドライバーやドライバーとしての使用に理想的です。 特長 1.8~1000 MHzの動作特性 比類のない入力、段間、出力により、広い周波数範囲を利用可能 ESD保護機能内蔵 同じPCBレイアウトで136-174MHz、350-520MHz、760-870MHz設計に使用可能 24ピン、4mm ...

マイクロ波アンプ
マイクロ波アンプ
91xx series

電流: 1.2 A - 9.7 A
周波: 8 GHz - 15 GHz

... Photonisは、最先端のマイクロ波システムの電力、帯域幅、スペクトル純度の要件を満たすマイクロ波パワーモジュール(MPM)を提供しています。 -電子対策 -ポイントツーポイントおよびSatComデータリンク -空中およびUAV使用に最適 -コンパクトなラボ用アンプ -レーダーの 説明 MPMは、高ゲインのソリッドステートドライバ(MMIC)とマルチコレクタで構成される効率的で低ノイズのアンプです。走行波管(TWT)とその電源装置は、すべて共通の軽量パッケージに密接に統合されています。 ...

信号アンプ
信号アンプ

出力: 20 W - 30 W

... YTTERBIUM-ERBIUM-DOPED FIBER AMPLIFIER (YEDFA) ネプテックのイッテルビウム・エルビウム添加ファイバアンプ(YEDFA)は、従来のアンプと比較して、よりコンパクトで安定した信頼性と高出力を実現しています。YEDFAはデュアルステージ増幅を利用しており、安定性を犠牲にすることなくシステムの増幅電力を増加させることができます。APC(自動電源制御)、AGC(自動利得制御)、ACC(自動電流制御)システムは、システムの統合と運用を成功させるためにアンプに設計されています。 ネットワークはそれぞれ異なります。ネプテックでは、当社が販売するすべての製品が、どのような光ファイバーアプリケーションにも適合するように高度なカスタマイズが可能であることを保証します。下記の標準YEDFAがお客様のアプリケーションに合わない場合は、お客様の仕様を検討し、カスタムYEDFAのお見積もりをさせていただきます。 製品情報 主な特徴 - ...

信号アンプ
信号アンプ
LNA_024_005

電圧: 3.3 V
電流: 5.6 mA
周波: 22 GHz - 29 GHz

... LNA_024_005は,Kバンドの高周波用途に開発した,特に低ノイズなアンプICです。当社LNA_024_004を機能信頼性の面で改良したものです。両ICの設計仕様およびフットプリントは同一です。 LNA_024_005は、SiGe技術と最適化された回路設計により、3.2dB以下の低雑音指数を実現しています。また、7.2GHzに迫る広帯域を実現しており、広帯域レーダーやkバンド無線通信システムでの信号増幅に適しています。 本製品は、低利得モードと高利得モードを選択できる利得制御機能を備え、いずれもリニアに増幅することが可能な低雑音アンプチップです。また、オンとオフの状態を素早く切り替えることができるため、低デューティサイクルによる省電力化など、パルスモードでの動作も可能です。パワーイネーブルピンにより、動作モードとパワーダウンモードの切り替えが可能で、信号がない場合のノイズの影響を最小限に抑えることができます。 ...

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Silicon Radar GmbH
パワーアンプ
パワーアンプ
ESSPx Ku200

出力: 200 W

... ESSPxは、エルバー社が設計・製造するGaNトランジスタ技術を用いた屋外用ソリッドステートパワーアンプ(SSPA)シリーズで、出力は50Wから200Wまであります。ESSPA-Ku200は200W Ku-bandバージョンで、自社設計のアップコンバーターを搭載したSSPBとしても提供されています。 ESSPxは、電源と冷却システムが一体化したユニットで、耐候性キャビネットに収納されているため、屋外でも安心して設置・運用することができます。また、過温、過電流、高反射電力の発生時には、ソフトウェア/ハードウェアによる最終段の自動シャットダウンにより、安全な動作を実現しています。 また、正確な順方向および反射電力の検出回路を備えており、アンプの正しい設定とモニタリングが可能です。 基本パレットの組み合わせは機械的に行うだけ 基本パレットの組み合わせは導波管コンバイナーを介して機械的に行うだけなので、大量生産でも性能を簡単に再現できます。 大量生産にも対応できるようになっています。 ユニットの管理は、ローカルおよびシリアルイーサネット接続によるリモートで行うことができます。 また、シリアル・イーサネット接続によるリモート管理も可能です。 冗長化キットも用意されており、1:1のソリューションを自律的に管理することができます。 冗長化キットも用意されており、1:1のソリューションを自律的に管理することができます。また、オプションとして、Cleberプラットフォームを介して外部のマスターコントロールユニットを使用することもできます(2台のアンプに対して1台のコントロールユニット)。 免責事項:すべてのファイルは、このサーバーにアップロードする前に、ウイルススキャンを行っています。Elber ...

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ELBER
光学式アンプ
光学式アンプ
SOA-780-20-YY-30dB

電圧: 1.9 V
電流: 300 mA

... 半導体光増幅器(ブースター光増幅器)は、半導体を用いて利得媒体を供給するアンプです。 ファブリー・ペロー・レーザ・ダイオードと同様の構造を持ちますが、端面には反射防止設計要素があります。 最近の設計には、反射防止コーティング、傾斜導波路および窓領域が含まれており、端面反射を0.001 % 未満に抑えることができます。 これにより、キャビティからゲインよりも大きな電力が失われるため、アンプがレーザーとして動作するのを防ぎます。 特長: • 780nmで30dB ...

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Innolume GmbH
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