CMDD3003タイプは、エピタキシャルプレーナプロセスで製造されたシリコンスイッチング用ダイオードで、SUPERminiTM表面実装パッケージでエポキシ樹脂モールドされており、極低リークダイオードを必要とするスイッチングアプリケーション用に設計されています。
Central SemiconductorのCMDD2004タイプは、エピタキシャル・プレーナ・プロセスで製造され、SUPERminiTM表面実装パッケージでエポキシ樹脂モールドされた高電圧シリコン・スイッチング・ダイオードで、高電圧能力を必要とするアプリケーション向けに設計されています。
CENTRAL SEMICONDUCTOR CMDD4448タイプは、エピタキシャル・プレーナ・プロセスで製造され、SUPERminiTM表面実装パッケージでエポキシ樹脂モールドされた超高速シリコン・スイッチング・ダイオードで、高速スイッチング・アプリケーション向けに設計されています。
CENTRAL SEMICONDUCTOR CMDD6001タイプは、エピタキシャルプレーナプロセスで製造されたシリコンスイッチングダイオードで、SUPERminiTM表面実装パッケージでエポキシモールドされており、極低リークダイオードを必要とするスイッチングアプリケーション用に設計されています。
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