PN接合付きダイオード BAS series

SMDスイッチングシリコン

CENTRAL SEMICONDUCTOR BAS28は、エピタキシャルプレーナプロセスで製造され、エポキシモールドSOT-143表面実装ケースにパッケージされた2つの電気的に絶縁された超高速シリコンスイッチングダイオードで構成されています。このデバイスは、高速スイッチング・アプリケーション向けに設計されています。 マーキングコードA61またはJTW CENTRAL SEMICONDUCTOR BAS56は、エピタキシャルプレーナプロセスで製造され、エポキシモールド表面実装SOT-143ケースにパッケージされた、電気的に絶縁された2つの超高速シリコンスイッチングダイオードで構成されています。このデバイスは、高速スイッチング・アプリケーション向けに設計されています。 マーキングコードL51またはWL5