倒立型エミッション顕微鏡は、半導体デバイスの故障に起因する発光・発熱などをとらえて故障位置を特定する裏面解析用システムです。
裏面からの信号検出により、ウェーハ表面へのプロービングやプローブカードの使用が容易となり、サンプル設定をスムーズに行うことができます。複数検出器、レーザ搭載を可能にしたプラットフォームは、発光・発熱解析、IR-OBIRCH 解析等、様々な解析手法を行うために最適な検出器の選択を可能とし、テスタ接続による動的解析も効率よく行うことができます。
iPHEMOS-DDは、LSIテスタと直接つなげることにより、接続ケーブル長による信号遅延を抑え、高速駆動サンプルの解析ができます。ダイレクトドッキング専用プローバにより、300 mmウェーハへの多ピン針あてが可能です。またオプション追加により、パッケージ解析、マニピュレータによる針当ても可能となります。
特長
• 発光と発熱解析用の超高感度カメラを2台搭載可能
• 最大3波長までのレーザ及びEOP用プローブ光源を搭載可能
• 複数検出器搭載可能なマルチプラットフォーム
• 高感度マクロレンズ及び各検出器感度波長に最適なレンズを、最大10本まで搭載可能
オプション機能
• レーザスキャンシステム搭載
• 高感度近赤外カメラによる発光解析
• 高感度中赤外カメラによる発熱解析
• IR-OBIRCH解析
• レーザ照射ダイナミック解析
• EOプロービング解析
• NanoLensによる高解像度・高感度解析
• CADナビゲーションとの接続
• LSIテスターとの接続