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Hitachi High-Tech Europe GmbH/日立
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特徴
試験の種類
出力
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パワーモジュール、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、Diodeなどの各種静特性を常温~高温で測定し、良否判定を行います。 検査(測定)対象:IGBT、IPM、P-MOS TET、SiC、GaN、Diode等 検査装置特徴:超低Ls(ストレーインダクタンス)を実現
見本市
この販売者が参加する展示会
The Advanced Materials Show
15-16 5月 2024
Birmingham (イギリス)
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*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。
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