Therma-Probe® イオン注入/アニール計測システムは、先端デザインノードデバイスや化合物半導体デバイスを含む、様々な半導体技術のインライン注入ドーズモニタリングを可能にします。Therma-Probe 680XPおよび780は、イオン注入線量とプロファイル、注入とアニールの均一性、および範囲終了ダメージに関する重要なプロセス情報を提供します。さらに、Therma-Probeシステムの高解像度マイクロユニフォミティマップは、インプラントとアニールのプロセス開発にフィンガープリント機能を提供します。
アプリケーション
エンジニアリング分析、インラインプロセスモニター、ツールモニター、プロセスツールマッチング
Therma-Probe 680XP計測システムは、2Xnm/1Xnm設計ノードのシリコンベースのデバイスのイオン注入とアニールプロセスのインラインモニタリングをサポートします。エネルギー/ドーズマトリクスの全領域をカバーし、注入とアニールの均一性を示す高密度のマイクロマップを作成します。Therma-Probe 680XPは、重要なインプラントとアニールのプロセス制御のためのデータを作成します。
Therma-Probe 780計測システムは、設計ノード<1Xnmのシリコンベースのデバイスのイオン注入とアニールプロセスのインラインモニタリングをサポートします。Therma-Probe 780は、高性能の短期および長期線量検出機能を備えており、注入プロセスでは線量、エネルギー、AOI、アニールプロセスでは活性化およびダメージ回復など、幅広い重要なプロセスパラメータの厳密なプロセス制御を可能にします。さらに、Therma-Probe 780は、ワイドバンドギャップ(SiC、GaNなど)半導体イオン注入/アニールプロセスのモニタリングにも対応しています。
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