血漿用ウェーハエッチングマシン SPTS Omega®

SPTS Omega® Rapier™およびDSi-vプロセスモジュールは、様々なアプリケーション向けに高速シリコンエッチングを提供します。シリコンのディープリアクティブイオンエッチング（DRIE）は、エッチング（SF6）とパッシベーション（C4F8）ステップの間でプラズマケミストリーを繰り返し切り替えるボッシュプロセスを使用し、シリコンにトレンチまたはホールの異方性エッチングを形成します。KLAは、1500台以上のDRIEプロセスモジュールを導入しており、MEMSやその他のアプリケーション向けのディープシリコンエッチングにおいて数十年の専門知識を持っています。SPTS Rapier™は、独立したデュアルガスインレットを備えた、独立制御のプライマリおよびセカンダリデカップリングプラズマゾーンを備えたデュアルプラズマソース設計を採用しています。この結果、ラジカルが高濃度で均一に分布し、高いエッチングレート、優れたウェーハ間均一性、CD、プロファイル、フィーチャーチルトの制御を実現します。この性能は、直径300mmまでのウェハーで実現可能です。また、固有のマルチモード柔軟性により、同一ハードウェア内での相補的酸化膜エッチングも可能です。SPTS DSi-vモジュールは、高負荷アプリケーション向けに優れたディープシリコンエッチング性能を提供します。DSi-vは、シリコンマイクロホンや圧力センサーなどのアプリケーション向けの大型キャビティエッチングに特に適しています。Rapier™とDSi-vは、いずれもOmega® LPX、c2L、fxPウェーハハンドリングプラットフォームと互換性があり、また、Versalis™クラスタープラットフォーム上のさまざまなSPTSエッチおよび蒸着モジュールと統合することもできます。 MEMS微細加工、TSV、パワートレンチ、裏面Siビア用のSiのディープ反応性イオンエッチング（DRIE） ビア露出およびウェハ薄化用ブランケットSiエッチング 浅い酸化膜エッチング MEMS 先端パッケージング RFデバイス製造 パワーデバイス製造 フォトニクス