InGaAsフォトダイオード XSJ-10-DA4-70-KH3
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InGaAsフォトダイオード
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特徴

特性
InGaAs
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詳細

商品説明 本製品は、InGaAs/InP PINプレーナ構造上面照射型3GHz高応答デジタル/アナログPDチップで、アクティブエリアはΦ70μmです。本PDチップは、低暗電流、低容量、高応答性により、2次相互変調歪(IMD2)、合成3次ビート歪(CTB)を低減し、優れた信頼性を有しています。2.5Gbps以下の光受信機、EPON ONU、CATVアナログ光受信機への適用が可能です。 特長 アクティブエリアΦ70μm 高応答性、高リニアリティ 低暗電流。 帯域幅:3GHz以上 低二次相互変調歪み(IMD2)と複合トリプルビート歪み(CTB)。 優れた信頼性。すべての破片は Telcordia -GR-468-CORE によって指定される資格要件を渡しました。 100%のテストと検査 アプリケーション FTTH、CATV、アナログ伝送システム。 ギガビットイーサネット、ファイバーチャネル、SONET/SDH用のシングルモードまたはマルチモードの光ファイバー受信機。 計測器

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