シリコンウェハー製

製品紹介
大判で薄い積層型の太陽光用シリコンウェーハは歩留まりの管理が難しい。弊社は長年にわたり切断加工に取り組み、細線化プロセスを推進してウェーハの歩留まりと性能を向上させてきました。線痕とTTVの低減に注力し、外観と納入数の改善を図ります。182系、210系、長方形ウェーハ、ハーフセルなどの各種フォーマットに対応した加工サービスを提供します。装置はより大きく薄いウェーハの切断・加工が可能で、薄型ウェーハ化の業界トレンドに合わせて製品供給と外観を改善します。

製品パラメータ
N/P Type | Wafer Size | Wafer Thickness/μm | TTV/μm | Saw Mark/μm | Resistivity | MCLT/μs | Oxygen Content/ppma | Carbon Content/ppma
P | 182.2*182.2 | 150±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.1 | ≥70 | ≤15 | ≤1
P | 182*183.75 | 150±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.1 | ≥70 | ≤15 | ≤1
N | 182.2*183.75 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 182.2*182.2 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 182.3*210 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 210*210 | 130±8 | ≤20 | ≤12.5 | 0.6-1.6 | ≥1000 | ≤11 | ≤1
N | 210*105 | 110+15/-10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.3-2.1 | ≥1000 | ≤14 | ≤1
N | 182.3*105 | 130±10 | ≤25 | ≤12.5 | 0.4-1.6 | ≥4000 | ≤13 | ≤1
備考：ウェーハの抵抗率や外観パラメータは顧客仕様に合わせてカスタマイズ可能です。

特長 / 技術仕様

• 製品種別：太陽光用大型シリコンウェーハの加工・切断サービス（ウェーハ加工）。
• 主要な注力点：線痕とTTVの低減により、大判薄型ウェーハの外観と歩留まりを改善。
• 対応フォーマットと代表寸法：182.2×182.2 mm、182×183.75 mm、182.2×183.75 mm、182.3×210 mm、210×210 mm、210×105 mm、182.3×105 mm、長方形ウェーハ、ハーフウェーハ、その他カスタム寸法。
• 厚み範囲と公差：例 150±10 μm、130±8 μm、110+15/-10 μm、130±10 μm（タイプ／サイズにより異なる）。
• TTV（Total Thickness Variation）：タイプやサイズにより通常 ≤20 μm または ≤25 μm。
• 線痕（saw mark）：上記タイプで通常 ≤12.5 μm。
• 抵抗率範囲（例）：0.3–2.1 Ω·cm、0.4–1.1 Ω·cm、0.4–1.6 Ω·cm、0.6–1.6 Ω·cm（タイプ／サイズに依存）。
• MCLT（少数キャリア寿命）例：≥70 μs、≥1000 μs、≥4000 μs 等。
• 酸素含有量（例）：≤15 ppma、≤11 ppma、≤14 ppma、≤13 ppma（タイプにより異なる）。
• 炭素含有量：列挙された全タイプで ≤1 ppma。
• カスタマイズ：抵抗率や外観パラメータは工程・歩留まり要件に合わせて調整可能。
• サービス能力：182、210、長方形、ハーフウェーハの加工・切断に対応。装置はより大きく薄いウェーハの処理に対応します。